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1. (WO2018024274) PROCÉDÉ D’AMÉLIORATION DU COMPORTEMENT DE CONTACT OHMIQUE ENTRE UNE GRILLE DE CONTACTS ET UNE COUCHE ÉMETTRICE D’UNE CELLULE SOLAIRE AU SILICIUM
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N° de publication : WO/2018/024274 N° de la demande internationale : PCT/DE2017/000245
Date de publication : 08.02.2018 Date de dépôt international : 01.08.2017
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/068 (2012.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0224
Electrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
06
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
068
les barrières de potentiel étant uniquement du type homojonction PN, p.ex. cellules solaires à homojonction PN en silicium massif ou cellules solaires à homojonction PN en couches minces de silicium polycristallin
Déposants : AIC HÖRMANN GMBH & CO. KG[DE/DE]; Hauptstrasse 45-47 85614 Kirchseeon, DE
Inventeurs : HONGMING, Zhao; DE
Mandataire : FINDEISEN, Andreas; Patentanwälte Findeisen & Neumann Pornitzstrasse 1 09112 Chemnitz, DE
Données relatives à la priorité :
10 2016 009 560.102.08.2016DE
Titre (EN) METHOD FOR IMPROVING OHMIC CONTACT BEHAVIOUR BETWEEN A CONTACT GRID AND AN EMITTER LAYER OF A SILICON SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ D’AMÉLIORATION DU COMPORTEMENT DE CONTACT OHMIQUE ENTRE UNE GRILLE DE CONTACTS ET UNE COUCHE ÉMETTRICE D’UNE CELLULE SOLAIRE AU SILICIUM
(DE) VERFAHREN ZUR VERBESSERUNG DES OHMSCHEN KONTAKTVERHALTENS ZWISCHEN EINEM KONTAKTGITTER UND EINER EMITTERSCHICHT EINER SILIZIUMSOLARZELLE
Abrégé :
(EN) The invention relates to a method for improving ohmic contact behaviour between a contact grid and an emitter layer of a silicon solar cell. The object of the invention is to propose a method for improving contact behaviour between the contact grid and the emitter layer of silicon solar cells, which method is used after the contacting of these solar cells and thus reduces the scrap quota of solar cells with faulty contacting. In order to achieve this object, a method is proposed which has the following method steps. First a silicon solar cell (1) is provided with the emitter layer, the contact grid (5) and a back contact (3). Then the contact grid (5) is electrically contacted by a contact pin matrix (8) or contact plate connected to one terminal of a current source and the back contact (3) is electrically connected by a contact device connected to the other terminal of the current source. Using the current source, at least one current pulse is induced along the forward direction of the silicon solar cell (1), the current pulse having a pulse duration of 1 ms to 100 ms and a current strength which is equivalent to 10 to 30 times the short-circuit current strength of the silicon solar cell (1). Two alternative methods are also proposed.
(FR) L'invention concerne un procédé d’amélioration du comportement de contact ohmique entre une grille de contacts et une couche émettrice d’une cellule solaire au silicium. L'invention vise à proposer un procédé d’amélioration du comportement de contact entre la grille de contacts et la couche émettrice de cellules solaires au silicium, qui est employé après la mise en contact de ces cellules solaires et qui réduit la mise au rebut de cellules solaires ayant une mise en contact défectueuse. Pour résoudre cet objectif, un procédé selon l’invention comprend les étapes suivantes : D’abord, on dispose d’une cellule solaire au silicium (1) ayant une couche émettrice, une grille de contacts (5) et un contact de retour (3). Ensuite, la grille de contact (5) est contactée électriquement par une matrice de broches de contact (8) ou par une plaque de contacts reliée à un pôle d’une source de courant et le contact de retour (3) est relié électriquement par un système de mise en contact relié à l’autre pôle de la source de courant. Avec la source de courant, au moins une impulsion de courant ayant une longueur de 1 ms à 100 ms et une intensité de courant, qui correspond à 10 jusqu’à 30 fois l’intensité de courant de court-circuit de la cellule solaire au silicium (1), est induite le long de la direction aller de la cellule solaire au silicium (1). L'invention concerne en outre deux autres procédés.
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verbesserung des ohmschen Kontaktverhaltens zwischen einem Kontaktgitter und einer Emitterschicht einer Siliziumsolarzelle. Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Verbesserung des Kontaktverhaltens zwischen dem Kontaktgitter und der Emitterschicht von Siliziumsolarzellen vorzuschlagen, welches nach der Kontaktierung dieser Solarzellen angewendet wird und damit der Ausschuss an Solarzellen mit mangelhafter Kontaktierung reduziert wird. Zur Lösung dieser Aufgabe wird ein Verfahren vorgeschlagen, welches die folgenden Verfahrensschritte aufweist. Zunächst wird eine Siliziumsolarzelle (1) mit der Emitterschicht, dem Kontaktgitter (5) und einem Rückkontakt (3) bereitgestellt. Dann werden das Kontaktgitter (5) von einer mit einem Pol einer Stromquelle verbundenen Kontaktstift-Matrix (8) oder Kontaktplatte elektrisch kontaktiert und der Rückkontakt (3) von einer mit dem anderen Pol der Stromquelle verbundenen Kontaktiereinrichtung elektrisch verbunden. Mit der Stromquelle wird dann mindestens ein Strompuls mit einer Pulslänge von 1 ms bis 100 ms und einer Stromstärke, die dem 10- bis 30-fachen der Kurzschlussstromstärke der Siliziumsolarzelle (1) entspricht, entlang der Vorwärtsrichtung der Siliziumsolarzelle (1) induziert. Weiterhin werden zwei alternative Verfahren vorgeschlagen.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)