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1. (WO2018023831) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF PERMETTANT D'ÉLIMINER UNE CAPACITÉ PARASITE
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N° de publication :    WO/2018/023831    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/094894
Date de publication : 08.02.2018 Date de dépôt international : 12.08.2016
CIB :
G02F 1/1333 (2006.01), G06F 3/044 (2006.01), G09G 3/36 (2006.01)
Déposants : WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; Building C5 No.666 Gaoxin Avenue East Lake High-tech Development Zone Wuhan, Hubei 430070 (CN)
Inventeurs : JI, Feilin; (CN).
TAN, Xiaoping; (CN)
Mandataire : GUANGZHOU SCIHEAD PATENT AGENT CO., LTD; Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No. 80 XianLie Zhong Road, Yuexiu District Guangzhou, Guangdong 510070 (CN)
Données relatives à la priorité :
201610628812.X 03.08.2016 CN
Titre (EN) METHOD AND DEVICE FOR ELIMINATING PARASITIC CAPACITANCE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF PERMETTANT D'ÉLIMINER UNE CAPACITÉ PARASITE
(ZH) 寄生电容的消除方法以及装置
Abrégé : front page image
(EN)A method and device (70) for eliminating a parasitic capacitance. During a touch-control scanning period, a first simulation signal is input to multiple source lines and a second simulation signal is input to multiple multiplexing lines, so as to eliminate a parasitic capacitance; wherein the first simulation signal is identical or similar to a waveform of a touch-control scanning signal input to a public electrode, the second simulation signal is similar to a waveform of a touch-control scanning signal input to the public electrode, and a third simulation signal is similar to a waveform of a touch-control scanning signal input to the public electrode. A second simulation waveform comprises a first target high level and a second target high level, and the second simulation waveform comprises a first target low level and a second target low level, wherein the first target high level > the second target high level > the first target low level > the second target low level. The first target high level and the second target high level are generated by means of different modules, and the first target low level and the second target low level are generated by means of different modules.
(FR)La présente invention concerne un procédé et un dispositif (70) qui permettent d'éliminer une capacité parasite. Au cours d'une période de balayage à commande tactile, un premier signal de simulation est entré dans plusieurs lignes de source et un deuxième signal de simulation est entré dans plusieurs lignes de multiplexage, de façon à éliminer une capacité parasite, le premier signal de simulation étant identique ou similaire à une forme d'onde d'un signal de balayage à commande tactile entré dans une électrode publique, le deuxième signal de simulation étant similaire à une forme d'onde d'un signal de balayage à commande tactile entré dans l'électrode publique, et un troisième signal de simulation étant similaire à une forme d'onde d'un signal de balayage à commande tactile entré dans l'électrode publique. Une seconde forme d'onde de simulation comprend un premier niveau élevé cible et un second niveau élevé cible, et la seconde forme d'onde de simulation comprend un premier niveau bas cible et un second niveau bas cible, où le premier niveau élevé cible > le second niveau élevé cible > le premier niveau bas cible > le second niveau bas cible. Le premier niveau élevé cible et le second niveau élevé cible sont générés au moyen de différents modules, et le premier niveau bas cible et le second niveau bas cible sont générés au moyen de différents modules.
(ZH)一种寄生电容的消除方法以及装置(70)。其中,在触控扫描周期,向多条源极线输入第一模拟信号,向多条多路复用线输入第二模拟信号,以使得寄生电容被消除;其中,第一模拟信号与输入公共电极的触控扫描信号波形相同或者相似,第二模拟信号与输入公共电极的触控扫描信号波形相似,第三模拟信号与输入公共电极的触控扫描信号波形相似,第二模拟波形包括第一目标高电平和第二目标高电平,第二模拟波形包括第一目标低电平和第二目标低电平,第一目标高电平>第二目标高电平>第一目标低电平>第二目标低电平,第一目标高电平和第二目标高电平是通过不同的模块产生的,第一目标低电平和第二目标低电平是通过不同的模块产生的。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)