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1. (WO2018022687) CIRCUITS ET PROCÉDÉS FOURNISSANT DES STRUCTURES DE BANDE INTERDITE ÉLECTRONIQUE (EBG) AU NIVEAU D'UN COUPLAGE ÉLECTRIQUE DE MODULE DE MÉMOIRE
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N° de publication :    WO/2018/022687    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/043844
Date de publication : 01.02.2018 Date de dépôt international : 26.07.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.02.2018    
CIB :
H05K 1/02 (2006.01), G06F 13/40 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : PATHMANATHAN, Priyatharshan; (US)
Mandataire : KELTON, Thomas W.; (US).
WEBB, Gregory P.; (US).
CHEN, Tom; (US).
MICHELSON, Gregory J.; (US).
HALLMAN, Jonathan; (US).
WELCH, Henry L.; (US).
FOWLES, Adam; (US).
NGUYEN, Thuc B.; (US).
EDWARDS, Gary J.; (US).
LI, Eric; (US).
PATTANI, Pranay; (US).
HUH, Gregory; (US)
Données relatives à la priorité :
62/367,836 28.07.2016 US
15/659,187 25.07.2017 US
Titre (EN) CIRCUITS AND METHODS PROVIDING ELECTRONIC BAND GAP (EBG) STRUCTURES AT MEMORY MODULE ELECTRICAL COUPLING
(FR) CIRCUITS ET PROCÉDÉS FOURNISSANT DES STRUCTURES DE BANDE INTERDITE ÉLECTRONIQUE (EBG) AU NIVEAU D'UN COUPLAGE ÉLECTRIQUE DE MODULE DE MÉMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)A system includes: a printed circuit board having a plurality of conductive traces; a processing device coupled to the printed circuit board and in electrical communication with the plurality of conductive traces; a first memory module and a second memory module in electrical communication with the plurality of conductive traces and sharing channels of the conductive traces, wherein the first memory module is physically more proximate to the processing device than is the second memory module; and an electronic band gap (EBG) structure physically disposed in an area between the first memory module and the second memory module.
(FR)Un système comprend : une carte de circuit imprimé ayant une pluralité de traces conductrices ; un dispositif de traitement couplé à la carte de circuit imprimé et en communication électrique avec la pluralité de traces conductrices ; un premier module de mémoire et un second module de mémoire en communication électrique avec la pluralité de traces conductrices et partageant des canaux des traces conductrices, le premier module de mémoire étant physiquement plus proche du dispositif de traitement que le second module de mémoire ; et une structure de bande interdite électronique (EBG) physiquement disposée dans une zone située entre le premier module de mémoire et le second module de mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)