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1. (WO2018022385) CELLULE DE MÉMOIRE AYANT UN DISPOSITIF DE JONCTION JOSEPHSON MAGNÉTIQUE À COUCHE D'ALLIAGE MAGNÉTIQUE DOPÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/022385    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/042951
Date de publication : 01.02.2018 Date de dépôt international : 20.07.2017
CIB :
H01L 39/22 (2006.01), G11C 11/44 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01), H01L 43/10 (2006.01)
Déposants : MICROSOFT TECHNOLOGY LICENSING, LLC [US/US]; One Microsoft Way Redmond, Washington 98052-6399 (US)
Inventeurs : AMBROSE, Thomas F.; (US)
Mandataire : MINHAS, Sandip; (US).
CHEN, Wei-Chen Nicholas; (US).
DRAKOS, Katherine J.; (US).
HINOJOSA, Brianna L.; (US).
HOLMES, Danielle J.; (US).
SWAIN, Cassandra T.; (US).
WONG, Thomas S.; (US).
CHOI, Daniel; (US).
HWANG, William C.; (US).
WIGHT, Stephen A.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/218,031 24.07.2016 US
Titre (EN) MEMORY CELL HAVING A MAGNETIC JOSEPHSON JUNCTION DEVICE WITH DOPED MAGNETIC ALLOY LAYER
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE AYANT UN DISPOSITIF DE JONCTION JOSEPHSON MAGNÉTIQUE À COUCHE D'ALLIAGE MAGNÉTIQUE DOPÉE
Abrégé : front page image
(EN)A memory cell including a magnetic Josephson junction (MJJ) device is provided. The MJJ device (300) includes a free magnetic layer (310), a non-magnetic layer (320), and a fixed magnetic layer (312). The free magnetic layer comprises a magnetic alloy, for example nickel-iron, doped with at least one of vanadium, zirconium, molybdenum, or hafnium. The fixed magnetic layer comprises a second magnetic alloy which is undoped or have a lower amount of doping than the free magnetic layer.
(FR)L'invention porte sur une cellule de mémoire comprenant un dispositif de jonction Josephson magnétique (MJJ). Le dispositif MJJ (300) comprend une couche magnétique libre (310), une couche non magnétique (320) et une couche magnétique fixe (312). La couche magnétique libre comprend un alliage magnétique, par exemple du nickel-fer, dopé avec au moins un élément parmi le vanadium, le zirconium, le molybdène ou le hafnium. La couche magnétique fixe comprend un second alliage magnétique qui est non dopé ou présente une quantité de dopage inférieure à celle de la couche magnétique libre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)