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1. (WO2018022184) MÉMOIRE NON VOLATILE À VARIATION DE VITESSE DE PROGRAMME RÉDUITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/022184 N° de la demande internationale : PCT/US2017/034888
Date de publication : 01.02.2018 Date de dépôt international : 28.05.2017
CIB :
H01L 27/11556 (2017.01) ,H01L 27/11582 (2017.01) ,H01L 29/788 (2006.01) ,H01L 29/792 (2006.01)
Déposants : SANDISK TECHNOLOGIES LLC[US/US]; 6900 Dallas Parkway, Suite 325 Plano, Texas 75024, US
Inventeurs : BARASKAR, Ashish; US
PANG, Liang; US
ZHANG, Yanli; US
MAKALA, Raghuveer; US
DONG, Yingda; US
Mandataire : MAGEN, Burt; US
Données relatives à la priorité :
15/221,26927.07.2016US
Titre (EN) NON-VOLATILE MEMORY WITH REDUCED PROGRAM SPEED VARIATION
(FR) MÉMOIRE NON VOLATILE À VARIATION DE VITESSE DE PROGRAMME RÉDUITE
Abrégé : front page image
(EN) A three-dimensional non-volatile memory is provided with reduced programming variation across word lines. The gate lengths of word lines decrease from the top to the bottom of the memory hole. Increased programming speeds due to a narrow memory hole are offset by a smaller gate length at corresponding positions. A blocking dielectric thickness may also be varied, independently or in combination with a variable word line thickness. The blocking dielectric is formed with a horizontal thickness that is larger at regions adjacent to the lower word line layers and smaller at regions adjacent to the upper word line layers. The larger thickness at the lower word line layers reduces the programming speed in the memory hole for the lower word lines relative to the upper word lines. A variance in programming speed resulting from differences in memory hole diameter may be offset by a corresponding variance in blocking dielectric thickness.
(FR) La présente invention concerne une mémoire non volatile tridimensionnelle à variation de programmation réduite sur des lignes de mots. Les longueurs de grille des lignes de mots diminuent du haut vers le bas du trou de mémoire. Les vitesses de programmation accrues en raison d'un petit trou de mémoire sont décalées d'une longueur de grille plus petite à des positions correspondantes. Une épaisseur de diélectrique de blocage peut également varier, indépendamment ou en combinaison avec une épaisseur de ligne de mot variable. Le diélectrique de blocage est formé d'une épaisseur horizontale qui est plus grande au niveau des régions adjacentes aux couches de lignes de mots inférieures et plus petite au niveau des régions adjacentes aux couches de lignes de mots supérieures. L'épaisseur plus grande au niveau des couches de lignes de mots inférieures réduit la vitesse de programmation dans le trou de mémoire pour les lignes de mots inférieures par rapport aux lignes de mots supérieures. Une variation de la vitesse de programmation résultant des différences de diamètre du trou de mémoire peut être décalée par une variance correspondante de l'épaisseur de diélectrique de blocage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)