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1. (WO2018022174) FORMATION PAR APPLICATION DE COURANT D'UN FILAMENT DE CELLULE DE LA MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE (RRAM)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/022174    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/033170
Date de publication : 01.02.2018 Date de dépôt international : 17.05.2017
CIB :
G06F 17/50 (2006.01), H01L 29/76 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01)
Déposants : SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 450 Holger Way San Jose, CA 95134 (US).
AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY, AND RESEARCH [--/SG]; 1, Fusionopolis Way, #20-10 Connexis 138632 (SG)
Inventeurs : HARIHARAN, Santosh; (US).
TRAN, Hieu, Van; (US).
ZHOU, Feng; (US).
LIU, Xian; (US).
LEMKE, Steven; (US).
DO, Nhan; (US).
CHEN, Zhixian; (SG).
WANG, Xinpeng; (SG)
Mandataire : LIMBACH, Alan, A.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/597,709 17.05.2017 US
10201606137Y 26.07.2016 SG
Titre (EN) CURRENT FORMING OF RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (RRAM) CELL FILAMENT
(FR) FORMATION PAR APPLICATION DE COURANT D'UN FILAMENT DE CELLULE DE LA MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE (RRAM)
Abrégé : front page image
(EN)A memory device includes a metal oxide material disposed between and in electrical contact with first and second conductive electrodes, and an electrical current source configured to apply one or more electrical current pulses through the metal oxide material. For each of the one or more electrical current pulses, an amplitude of the electrical current increases over time during the electrical current pulse to form a conductive filament in metal oxide material.
(FR)Selon la présente invention, un dispositif de mémoire comprend un matériau d'oxyde métallique disposé entre des première et seconde électrodes conductrices et en contact électrique avec ces dernières, et une source de courant électrique conçue pour appliquer une ou plusieurs impulsions de courant électrique à travers le matériau d'oxyde métallique. Pour chacune desdites impulsions de courant électrique, une amplitude du courant électrique augmente au fil du temps pendant l'impulsion de courant électrique pour former un filament conducteur dans un matériau d'oxyde métallique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)