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1. (WO2018022163) STRUCTURE BLINDÉE DE MASSE À MOTIFS À TROIS COUCHES
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N° de publication :    WO/2018/022163    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/030735
Date de publication : 01.02.2018 Date de dépôt international : 03.05.2017
CIB :
H05K 1/02 (2006.01), H01P 1/20 (2006.01), H01P 1/203 (2006.01), H01P 3/02 (2006.01)
Déposants : WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 3355 Michelson Drive Suite 100 Irvine, California 92612 (US)
Inventeurs : WALLASH, Albert John; (US)
Mandataire : VERSTEEG, Steven H.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/220,175 26.07.2016 US
Titre (EN) SHIELDED THREE-LAYER PATTERNED GROUND STRUCTURE
(FR) STRUCTURE BLINDÉE DE MASSE À MOTIFS À TROIS COUCHES
Abrégé : front page image
(EN)The present disclosure generally relates to a shielded three-layer patterned ground structure in a PCB. The PCB may be disposed in a hard disk drive. Conductive traces in PCBs can have the problem of common mode current flowing through the traces and thus increasing the magnitude of EMI noise. By providing a shielded three-layer patterned ground structure, not only is the cost reduced, but so is the common mode current and the magnitude of EMI noise, all without any negative impact to the differential signal. The PCB (400) comprises a first shield layer (302) comprising a first conductive material; a second shield layer (304) that is spaced from the first shield layer by a first dielectric material, wherein the second shield layer comprises a second conductive material, wherein the second shield layer has a main portion and a first patterned ground structure (314), wherein the first patterned ground structure is spaced from the main portion on all sides by a moat (316) that is filled with a second dielectric material when viewed from a top view; a third shield layer (306) disposed over the second shield layer and spaced from the second shield layer by a third dielectric material, wherein the third shield layer comprises a first portion and a second portion, wherein the first portion and the second portion are each disposed over the moat when viewed from the top view; and a first set of traces (308) disposed between the first portion and the second portion.
(FR)La présente invention porte généralement sur une structure blindée de masse à motifs à trois couches dans une PCB. La PCB peut être disposée dans un lecteur de disque dur. Des traces conductrices dans les PCB peuvent poser le problème de courant en mode commun circulant à travers les traces et accroissant ainsi l’amplitude de bruit d’EMI. En réalisant une structure blindée de masse à motifs à trois couches, non seulement le coût est réduit, mais encore le courant en mode commun et l’amplitude du bruit d’EMI, le tout sans impact négatif sur le signal différentiel. La PCB (400) comprend une première couche de blindage (302) comprenant un premier matériau conducteur ; une deuxième couche de blindage (304) qui est séparée de la première couche de blindage par un premier matériau diélectrique, la deuxième couche de blindage comprenant un deuxième matériau conducteur, la deuxième couche de blindage comportant une partie principale et une première structure de masse (314) à motifs, la première structure de masse à motifs étant séparée de la partie principale de tous les côtés par une douve (316) qui est remplie d’un deuxième matériau diélectrique en vue de dessus ; une troisième couche de blindage (306) disposée au-dessus de la deuxième couche de blindage et séparée de la deuxième couche de blindage par un troisième matériau diélectrique, la troisième couche de blindage comprenant une première partie et une deuxième partie, la première partie et la deuxième partie étant chacune disposées au-dessus de la douve en vue de dessus ; et un premier ensemble de traces (308) disposées entre la première partie et la deuxième partie.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)