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1. (WO2018022142) RÉALISATION D'UNE FLUORATION DE PLASMA DÉCOUPLÉE POUR RÉDUIRE LES DÉFAUTS INTERFACIAUX DANS UN EMPILEMENT DE FILMS
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N° de publication : WO/2018/022142 N° de la demande internationale : PCT/US2017/015444
Date de publication : 01.02.2018 Date de dépôt international : 27.01.2017
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
324
Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC.[US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs : LIU, Wei; US
WANG, Linlin; US
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; US
TACKETT, Keith M.; US
Données relatives à la priorité :
62/368,53129.07.2016US
Titre (EN) PERFORMING DECOUPLED PLASMA FLUORINATION TO REDUCE INTERFACIAL DEFECTS IN FILM STACK
(FR) RÉALISATION D'UNE FLUORATION DE PLASMA DÉCOUPLÉE POUR RÉDUIRE LES DÉFAUTS INTERFACIAUX DANS UN EMPILEMENT DE FILMS
Abrégé :
(EN) Embodiments of the present disclosure generally relate to methods for forming a dielectric material on a substrate, and more specifically, to methods for forming a high-k dielectric layer in an electronic device. In one embodiment, the method includes depositing a high-k dielectric layer on a substrate and fluorinating the deposited high-k dielectric layer. The fluorinating the high-k dielectric layer includes exposing the high-k dielectric layer to a fluorine containing plasma at temperature between about 200 degrees Celsius and about 550 degrees Celsius. At this temperature range, the fluorine radicals form fluorine bonds at the interface between the high-k dielectric layer and the substrate without etching any materials.
(FR) Des modes de réalisation de la présente invention concernent généralement des procédés de formation d'un matériau diélectrique sur un substrat, et plus particulièrement, des procédés de formation d'une couche diélectrique à forte constante diélectrique dans un dispositif électronique. Selon un mode de réalisation, le procédé consiste à déposer une couche diélectrique à forte constante diélectrique sur un substrat et à procéder à la fluoration de la couche diélectrique à forte constante diélectrique déposée. La fluoration de la couche diélectrique à forte constante diélectrique consiste à exposer la couche diélectrique à forte constante diélectrique à un plasma contenant du fluor à une température comprise entre environ 200 degrés Celsius et environ 550 degrés Celsius. Dans cette plage de température, les radicaux de fluor forment des liaisons de fluor au niveau de l'interface entre la couche diélectrique à forte constante diélectrique et le substrat sans gravure de matériaux.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)