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1. (WO2018021912) PROCÉDÉ ET SYSTÈME POUR LIER UNE PUCE À UN SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/021912 N° de la demande internationale : PCT/NL2017/050504
Date de publication : 01.02.2018 Date de dépôt international : 25.07.2017
CIB :
H01L 23/00 (2006.01) ,B23K 1/00 (2006.01) ,B23K 1/005 (2006.01) ,H05K 3/34 (2006.01)
Déposants : NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST- NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO[NL/NL]; Anna Van Buerenplein 1 2595 DA 's-Gravenhage, NL
Inventeurs : ARUTINOV, Gari; NL
SMITS, Edsger Constant Pieter; NL
VAN DEN BRAND, Jeroen; NL
Mandataire : JANSEN, C.M.; V.O. P.O. Box 87930 2508 DH Den Haag, NL
Données relatives à la priorité :
16181184.926.07.2016EP
Titre (EN) METHOD AND SYSTEM FOR BONDING A CHIP TO A SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME POUR LIER UNE PUCE À UN SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN) A method and system for heat bonding a chip to a substrate by means of heat bonding material disposed there between. At least the substrate is preheated from an initial temperature to an elevated temperature below a damage temperature of the substrate. A light pulse applied to the chip momentarily increases the chip temperature to a pulsed peak temperature below a peak damage temperature of the chip. The momentarily increased pulsed peak temperature of the chip causes a flow of conducted heat from the chip to the bonding material, causing the bonding material to form a bond.
(FR) L'invention porte sur un procédé et sur un système pour lier thermiquement une puce à un substrat au moyen d'un matériau de liaison thermique disposé entre ceux-ci. Au moins le substrat est préchauffé à partir d'une température initiale à une température élevée inférieure à une température d'endommagement du substrat. Une impulsion lumineuse appliquée à la puce augmente momentanément la température de la puce à une température de crête pulsée inférieure à une température de détérioration de crête de la puce. La température de crête pulsée et augmentée momentanément de la puce provoque un flux de chaleur conduite de la puce au matériau de liaison, le matériau de liaison formant ainsi une liaison.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)