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1. (WO2018021584) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SURFACE DE TRANCHE
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N° de publication : WO/2018/021584 N° de la demande internationale : PCT/KR2016/008123
Date de publication : 01.02.2018 Date de dépôt international : 25.07.2016
CIB :
H01L 31/0236 (2006.01) ,H01L 31/18 (2006.01) ,H01L 21/268 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : COWINDST CO., LTD.[KR/KR]; 77, Dongpyeon-ro, Dongan-gu Anyang-si Gyeonggi-do 13930, KR
GACHON UNIVERSITY OF INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION[KR/KR]; 1342, Seongnam-daero Sujeong-gu, Seongnam-si Gyeonggi-do 13120, KR
Inventeurs : KIM, Seon Joo; KR
PARK, Hoon; KR
KIM, Hyun Tae; KR
PARK, Jae Woong; KR
HONG, Soon Young; KR
PARK, Sang Joon; KR
KIM, Ji Hyeon; KR
HA, Seung Hyun; KR
Mandataire : KIM, In Han; KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-009444325.07.2016KR
Titre (EN) WAFER SURFACE PROCESSING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SURFACE DE TRANCHE
(KO) 웨이퍼 표면 가공방법
Abrégé : front page image
(EN) The present invention relates to a wafer surface processing method, which solves an environmental pollution problem and can improve power generation efficiency by a simple treatment method, comprising the steps of: emitting a laser beam at a wafer so as to form uneveness thereon; and dipping the wafer, on which uneveness was formed, into an aqueous solution containing KOH so as to clean the same.
(FR) La présente invention concerne un procédé de traitement de surface de tranche, qui résout un problème de pollution environnementale et peut améliorer l'efficacité de génération d'énergie par un procédé de traitement simple, consistant : à émettre un faisceau laser au niveau d'une tranche de façon à former une irrégularité sur cette dernière ; et à tremper la tranche, sur laquelle une irrégularité est formée, dans une solution aqueuse comportant du KOH de façon à nettoyer ladite tranche.
(KO) 본 발명은 환경오염 문제를 해결하고, 간단한 처리방법에 의해 발전효율을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 표면 가공방법에 대한 것으로, 웨이퍼에 레이저를 조사하여 요철을 형성하는 단계; 및 상기 요철이 형성된 웨이퍼를 KOH를 포함하는 수용액에 넣어 클리닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)