WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018021466) FILM DE NITRURE DE VANADIUM, ÉLÉMENT REVÊTU D'UN FILM DE NITRURE DE VANADIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/021466 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/027222
Date de publication : 01.02.2018 Date de dépôt international : 27.07.2017
CIB :
C23C 16/34 (2006.01) ,B23B 27/14 (2006.01)
Déposants : DOWA THERMOTECH CO., LTD.[JP/JP]; 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010021, JP
Inventeurs : HABUKA, Satoru; JP
MATSUOKA, Hiroyuki; JP
SAKAKIBARA, Wataru; JP
Mandataire : HAGIWARA, Yasushi; JP
KANEMOTO, Tetsuo; JP
KAMEYA, Yoshiaki; JP
SAITO, Takashi; JP
Données relatives à la priorité :
2016-14694827.07.2016JP
Titre (EN) VANADIUM NITRIDE FILM, VANADIUM NITRIDE FILM COATED MEMBER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) FILM DE NITRURE DE VANADIUM, ÉLÉMENT REVÊTU D'UN FILM DE NITRURE DE VANADIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(JA) 窒化バナジウム膜、窒化バナジウム膜の被覆部材およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN) A vanadium nitride film formed on the surface of a substrate, wherein the ratio V [at%]/N [at%] of the concentration of elemental vanadium and the concentration of elemental nitrogen in the film is 1.08 or higher, and the concentration of elemental chlorine in a coating is 1 at% to 5 at%.
(FR) L'invention concerne un film de nitrure de vanadium formé sur la surface d'un substrat, le rapport V [% at.]/N [% at.] de la concentration de vanadium élémentaire et de la concentration d'azote élémentaire dans le film étant de 1,08 ou supérieur, et la concentration de chlore élémentaire dans un revêtement étant de 1 à 5% at.
(JA) 基材の表面に形成される窒化バナジウム膜において、膜中のバナジウム元素濃度と窒素元素濃度との比V[at%]/N[at%]が1.08以上であり、かつ、皮膜中の塩素元素濃度を1at%以上、5at%以下である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)