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1. (WO2018021411) DISPOSITIF DE DÉTECTION DE LUMIÈRE
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N° de publication : WO/2018/021411 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/027055
Date de publication : 01.02.2018 Date de dépôt international : 26.07.2017
CIB :
H01L 31/107 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K.K.[JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
Inventeurs : ISHIDA Atsushi; JP
NAGANO Terumasa; JP
BABA Takashi; JP
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; JP
KUROKI Yoshiki; JP
SHIBAYAMA Kenichi; JP
Données relatives à la priorité :
2016-14738027.07.2016JP
Titre (EN) LIGHT DETECTION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE DÉTECTION DE LUMIÈRE
(JA) 光検出装置
Abrégé : front page image
(EN) This light detection device comprises: a semiconductor substrate; a plurality of avalanche photodiodes arranged in a matrix on the semiconductor substrate and each having a light reception region; and a plurality of through electrodes each electrically connected to corresponding light reception regions. The through electrode is arranged in each region surrounded by four adjacent avalanche photodiodes among the plurality of avalanche photodiodes. As viewed from a direction orthogonal to a first principal surface of the semiconductor substrate, each light reception region has a polygonal shape including: a pair of first sides that oppose one another in the row direction and extend in the column direction; and four second sides that respectively oppose the four through electrodes surrounding the light reception region, and that each extend in a direction intersecting with the row direction and the column direction. The length of the first side is shorter than the length of the second side.
(FR) Ce dispositif de détection de lumière comprend : un substrat semi-conducteur; une pluralité de photodiodes à avalanche disposées dans une matrice sur le substrat semi-conducteur et ayant chacune une région de réception de lumière; et une pluralité d'électrodes traversantes connectées électriquement chacune à des régions de réception de lumière correspondantes. L'électrode traversante est disposée dans chaque région entourée par quatre photodiodes à avalanche adjacentes parmi la pluralité de photodiodes à avalanche. Vu depuis une direction orthogonale à une première surface principale du substrat semi-conducteur, chaque région de réception de lumière a une forme polygonale comprenant: une paire de premiers côtés qui sont opposés l'un à l'autre dans la direction de la rangée et qui s'étendent dans la direction de la colonne; et quatre seconds côtés qui s'opposent respectivement aux quatre électrodes traversantes entourant la région de réception de lumière, et qui s'étendent chacun dans une direction croisant la direction de rangée et la direction de colonne. La longueur du premier côté est plus courte que celle du second coté.
(JA) 光検出装置は、半導体基板と、受光領域を有していると共に半導体基板に行列状に配列されている複数のアバランシェフォトダイオードと、対応する受光領域と電気的に接続されている複数の貫通電極と、を備えている。複数の貫通電極は、複数のアバランシェフォトダイオードのうち互いに隣り合う四つのアバランシェフォトダイオードで囲まれる領域毎に配置されている。各受光領域は、半導体基板の第一主面に直交する方向から見て、行方向で互いに対向し、かつ、列方向に延在している一対の第一辺と、受光領域を囲う四つの貫通電極と対向し、かつ、行方向及び列方向に交差する方向にそれぞれ延在している四つの第二辺と、を含む多角形形状を呈している。第一辺の長さは、第二辺の長さよりも短い。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)