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1. (WO2018021126) ÉLÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE ET DÉTECTEUR DE LUMIÈRE PROCHE INFRAROUGE
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N° de publication : WO/2018/021126 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/026190
Date de publication : 01.02.2018 Date de dépôt international : 20.07.2017
CIB :
H01L 31/107 (2006.01)
Déposants : KONICA MINOLTA, INC.[JP/JP]; 2-7-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1007015, JP
THE UNIVERSITY OF TOKYO[JP/JP]; 3-1, Hongo 7-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1138654, JP
Inventeurs : TAKEUCHI, Yuichi; JP
HATANO, Takuji; JP
ISHIKAWA, Yasuhiko; JP
Mandataire : KOYO INTERNATIONAL PATENT FIRM; 17F., Tokyo Takarazuka Bldg., 1-1-3, Yurakucho, Chiyoda-ku, Tokyo 1000006, JP
Données relatives à la priorité :
2016-14656526.07.2016JP
Titre (EN) LIGHT-RECEIVING ELEMENT AND NEAR INFRARED LIGHT DETECTOR
(FR) ÉLÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE ET DÉTECTEUR DE LUMIÈRE PROCHE INFRAROUGE
(JA) 受光素子及び近赤外光検出器
Abrégé : front page image
(EN) The present invention addresses the issue of providing: a light-receiving element that has an absorption layer of germanium (Ge), is capable of efficiently receiving near infrared light having a large light-reception sensitivity in the absorption layer, from a free space, and has high productivity and low production cost; and a near infrared light detector comprising said light-receiving element. This light-receiving element 10 has, laminated in order upon a substrate 20, an amplification layer 30 containing silicon (Si), an absorption layer 40 containing germanium (Ge), and an antireflection layer 50. The amplification layer 30 has, in order upon the substrate 20, at least an n-doped n-Si layer 31 and a p-doped p-Si layer 33. The absorption layer 40 has at least a p-doped p-Ge layer 42.
(FR) La présente invention a pour objet de fournir : un élément récepteur de lumière qui a une couche d'absorption de germanium (Ge), est capable de recevoir efficacement une lumière proche infrarouge ayant une grande sensibilité de réception de lumière dans la couche d'absorption, à partir d'un espace libre, et a une productivité élevée et un faible coût de production ; et un détecteur de lumière proche infrarouge comprenant ledit élément récepteur de lumière. Cet élément récepteur de lumière 10 présente, stratifiées dans l'ordre sur un substrat 20, une couche d'amplification 30 contenant du silicium (Si), une couche d'absorption 40 contenant du germanium (Ge) et une couche antireflet 50. La couche d'amplification 30 comporte, dans l'ordre sur le substrat 20, au moins une couche n-Si dopée n 31 et une couche p-Si dopée p 33. La couche d'absorption 40 comprend au moins une couche p-Ge dopée p 42.
(JA) 本発明の課題は、ゲルマニウム(Ge)の吸収層を有し、当該吸収層において受光感度の大きな近赤外光を自由空間から効率的に受光でき、生産性が高く、かつ製造コストの低い受光素子、及び当該受光素子を備えた近赤外光検出器を提供することである。本発明の受光素子10は、基板20上に、シリコン(Si)を含有する増幅層30、ゲルマニウム(Ge)を含有する吸収層40及び反射防止層50がこの順に積層されており、増幅層30が、n型にドープされたn-Si層31と、p型にドープされたp-Si層33とを基板20上に少なくともこの順に有しており、吸収層40が、p型にドープされたp-Ge層42を少なくとも有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)