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1. (WO2018021121) COMPOSITION DE DIFFUSION D'IMPURETÉS ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENTS SEMI-CONDUCTEURS UTILISANT LA COMPOSITION DE DIFFUSION D'IMPURETÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/021121    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/026150
Date de publication : 01.02.2018 Date de dépôt international : 19.07.2017
CIB :
H01L 21/225 (2006.01)
Déposants : TORAY INDUSTRIES, INC. [JP/JP]; 1-1, Nihonbashi-Muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1038666 (JP)
Inventeurs : KITADA, Tsuyoshi; (JP).
IKEGAMI, Yoshihiro; (JP).
ARAI, Nana; (JP)
Mandataire : SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; Toranomon Mitsui Building, 8-1, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-149356 29.07.2016 JP
Titre (EN) IMPURITY DIFFUSION COMPOSITION AND SEMICONDUCTOR ELEMENT PRODUCTION METHOD USING IMPURITY DIFFUSION COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE DIFFUSION D'IMPURETÉS ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENTS SEMI-CONDUCTEURS UTILISANT LA COMPOSITION DE DIFFUSION D'IMPURETÉS
(JA) 不純物拡散組成物およびこれを用いた半導体素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)An impurity diffusion composition according to one embodiment is for diffusing a desired conductive impurity-diffused component into a semiconductor substrate. The impurity diffusion composition contains a polysiloxane (A) and an impurity-diffused component (B). The polysiloxane (A) contains a carboxyl group and/or a dicarboxylic acid anhydride structure. The impurity diffusion composition is for use in a semiconductor element production method and is particularly suitable for use in the production of solar cells.
(FR)La composition de diffusion d'impuretés selon un mode de réalisation est destinée à diffuser un composant de diffusion d'impuretés conductrices désiré dans un substrat semi-conducteur. La composition de diffusion d'impuretés contient un polysiloxane (A) et un composant de diffusion d'impuretés (B). Le polysiloxane (A) contient un groupe carboxyle et/ou une structure d'anhydride d'acide dicarboxylique. La composition de diffusion d'impuretés est destinée à être utilisée dans un procédé de production d'éléments semi-conducteurs et est particulièrement appropriée pour être utilisée dans la production de cellules solaires.
(JA)本発明の一態様である不純物拡散組成物は、半導体基板中に所望の導電型の不純物拡散成分を拡散させるための組成物であり、ポリシロキサン(A)と、不純物拡散成分(B)と、を含有する。このポリシロキサン(A)は、カルボキシル基およびジカルボン酸無水物構造のうち少なくとも一つを含有するポリシロキサンである。この不純物拡散組成物は、半導体素子の製造方法に用いられる。特に、この不純物拡散組成物は、太陽電池の製造に好適に用いられる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)