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1. (WO2018021121) COMPOSITION DE DIFFUSION D'IMPURETÉS ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENTS SEMI-CONDUCTEURS UTILISANT LA COMPOSITION DE DIFFUSION D'IMPURETÉS

Pub. No.:    WO/2018/021121    International Application No.:    PCT/JP2017/026150
Publication Date: Fri Feb 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu Jul 20 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/225
Applicants: TORAY INDUSTRIES, INC.
東レ株式会社
Inventors: KITADA, Tsuyoshi
北田 剛
IKEGAMI, Yoshihiro
池上 由洋
ARAI, Nana
新井 名奈
Title: COMPOSITION DE DIFFUSION D'IMPURETÉS ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENTS SEMI-CONDUCTEURS UTILISANT LA COMPOSITION DE DIFFUSION D'IMPURETÉS
Abstract:
La composition de diffusion d'impuretés selon un mode de réalisation est destinée à diffuser un composant de diffusion d'impuretés conductrices désiré dans un substrat semi-conducteur. La composition de diffusion d'impuretés contient un polysiloxane (A) et un composant de diffusion d'impuretés (B). Le polysiloxane (A) contient un groupe carboxyle et/ou une structure d'anhydride d'acide dicarboxylique. La composition de diffusion d'impuretés est destinée à être utilisée dans un procédé de production d'éléments semi-conducteurs et est particulièrement appropriée pour être utilisée dans la production de cellules solaires.