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1. (WO2018020849) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/020849    International Application No.:    PCT/JP2017/021316
Publication Date: Fri Feb 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Jun 09 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/872
H01L 21/329
H01L 29/06
H01L 29/47
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: YUDA Yohei
湯田 洋平
WATAHIKI Tatsuro
綿引 達郎
Title: DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
Abstract:
La présente invention empêche un semi-conducteur d'oxyde de type p d'être oxydé par l'oxygène dans un semi-conducteur d'oxyde de type n même lorsque le semi-conducteur d'oxyde de type p est fourni en tant que structure terminale sur le semi-conducteur d'oxyde de type n. La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur 10 comprenant : un substrat d'oxyde de gallium de type n 1; une électrode d'anode 3 liée au substrat d'oxyde de gallium de type n 1; et une électrode de cathode 2 disposée sur le substrat d'oxyde de gallium de type n 1, un courant électrique s'écoulant entre l'électrode d'anode 3 et l'électrode de cathode 2 par l'intermédiaire du substrat d'oxyde de gallium de type n 1 disposé entre l'électrode d'anode 3 et l'électrode de cathode 2. Le dispositif à semi-conducteur 10 est pourvu : d'une couche semi-conductrice d'oxyde de type p 4a disposée adjacente à une section de jonction au niveau de laquelle l'électrode d'anode 3 et le substrat d'oxyde de gallium de type n 1 sont liés; et une couche de nitrure 7 disposée entre la couche semi-conductrice d'oxyde de type p et le substrat d'oxyde de gallium de type n 1.