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1. (WO2018020849) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
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N° de publication :    WO/2018/020849    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/021316
Date de publication : 01.02.2018 Date de dépôt international : 08.06.2017
CIB :
H01L 29/872 (2006.01), H01L 21/329 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventeurs : YUDA Yohei; (JP).
WATAHIKI Tatsuro; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE Hidetoshi; (JP).
ARITA Takahiro; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-145985 26.07.2016 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention prevents a p-type oxide semiconductor from being oxidized by oxygen in an n-type oxide semiconductor even when the p-type oxide semiconductor is provided as a terminal structure on the n-type oxide semiconductor. The present invention is a semiconductor device 10 provided with: an n-type gallium oxide substrate 1; an anode electrode 3 bonded to the n-type gallium oxide substrate 1; and a cathode electrode 2 provided on the n-type gallium oxide substrate 1, wherein an electrical current flows between the anode electrode 3 and the cathode electrode 2 via the n-type gallium oxide substrate 1 provided between the anode electrode 3 and the cathode electrode 2. The semiconductor device 10 is provided with: a p-type oxide semiconductor layer 4a provided adjacent to a joint section at which the anode electrode 3 and the n-type gallium oxide substrate 1 are bonded; and a nitride layer 7 provided between the p-type oxide semiconductor layer 4a and the n-type gallium oxide substrate 1.
(FR)La présente invention empêche un semi-conducteur d'oxyde de type p d'être oxydé par l'oxygène dans un semi-conducteur d'oxyde de type n même lorsque le semi-conducteur d'oxyde de type p est fourni en tant que structure terminale sur le semi-conducteur d'oxyde de type n. La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur 10 comprenant : un substrat d'oxyde de gallium de type n 1; une électrode d'anode 3 liée au substrat d'oxyde de gallium de type n 1; et une électrode de cathode 2 disposée sur le substrat d'oxyde de gallium de type n 1, un courant électrique s'écoulant entre l'électrode d'anode 3 et l'électrode de cathode 2 par l'intermédiaire du substrat d'oxyde de gallium de type n 1 disposé entre l'électrode d'anode 3 et l'électrode de cathode 2. Le dispositif à semi-conducteur 10 est pourvu : d'une couche semi-conductrice d'oxyde de type p 4a disposée adjacente à une section de jonction au niveau de laquelle l'électrode d'anode 3 et le substrat d'oxyde de gallium de type n 1 sont liés; et une couche de nitrure 7 disposée entre la couche semi-conductrice d'oxyde de type p et le substrat d'oxyde de gallium de type n 1.
(JA)n型酸化物半導体に終端構造としてp型酸化物半導体を設けても、p型酸化物半導体がn型酸化物半導体の酸素によって酸化されることを防止する。n型酸化ガリウム基板1と、n型酸化ガリウム基板1に接合されたアノード電極3と、n型酸化ガリウム基板1に設けられたカソード電極2とを備え、アノード電極3とカソード電極2との間に設けられたn型酸化ガリウム基板1を介してアノード電極3とカソード電極2との間に電流が流れる半導体装置10であって、アノード電極3とn型酸化ガリウム基板1とが接合された接合部に隣接して設けられたp型酸化物半導体層4aと、p型酸化物半導体層4aとn型酸化ガリウム基板1との間に設けられた窒化物層7とを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)