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1. (WO2018020730) ÉLÉMENT DE COUPLAGE MAGNÉTIQUE À EFFET TUNNEL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DUDIT ÉLÉMENT DE COUPLAGE MAGNÉTIQUE À EFFET TUNNEL
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N° de publication : WO/2018/020730 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/011040
Date de publication : 01.02.2018 Date de dépôt international : 17.03.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 15.08.2017
CIB :
H01L 43/12 (2006.01) ,C23C 14/14 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
Déposants : TOHOKU UNIVERSITY[JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577, JP
Inventeurs : HONJO, Hiroaki; JP
IKEDA, Shoji; JP
SATO, Hideo; JP
ENDOH, Tetsuo; JP
OHNO, Hideo; JP
Mandataire : PATENT CORPORATE BODY DAI-ICHI KOKUSAI TOKKYO JIMUSHO; 5-12, Iwamotocho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010032, JP
Données relatives à la priorité :
2016-15015429.07.2016JP
Titre (EN) MAGNETIC TUNNEL COUPLING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT DE COUPLAGE MAGNÉTIQUE À EFFET TUNNEL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DUDIT ÉLÉMENT DE COUPLAGE MAGNÉTIQUE À EFFET TUNNEL
(JA) 磁気トンネル接合素子およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN) In order to provide a magnetic tunnel coupling element having a higher TMR ratio and making it possible to prevent damage to a record layer and a fixed layer during film formation, and a method for manufacturing the magnetic tunnel coupling element, when manufacturing a magnetic tunnel coupling element formed by: laminating, in the sequence listed, a fixed layer comprising a ferromagnetic material and having a fixed magnetization direction, a magnetic coupling layer comprising a non-magnetic material, a reference layer comprising a ferromagnetic material and having a fixed magnetization direction, a barrier layer comprising a non-magnetic material, and a record layer comprising a ferromagnetic material; laminating, in the sequence listed, a reference layer comprising a ferromagnetic material and having a fixed magnetization direction, and a record layer obtained by sandwiching a barrier layer comprising a non-magnetic material and an insertion layer comprising a non-magnetic material with first and second ferromagnetic layers; or performing lamination in a sequence opposite one of the sequences set out above, the magnetic coupling layer and the insertion layer are formed by a sputtering gas in which the value of the ratio, in which the mass number of the element used in the magnetic coupling layer and the insertion layer is divided by the mass number of the sputtering gas, is 2.2 or smaller.
(FR) L'invention vise à obtenir un élément de couplage magnétique à effet tunnel présentant un rapport TMR plus élevé et permettant d'éviter l'endommagement d'une couche d'enregistrement et d'une couche fixe pendant la formation du film, et un procédé de fabrication de l'élément de couplage magnétique à effet tunnel, lors de la fabrication d'un élément de couplage magnétique à effet tunnel formé par : la stratification, dans l'ordre suivant, d'une couche fixe comprenant un matériau ferromagnétique et présentant une direction de magnétisation fixe, d'une couche de couplage magnétique comprenant un matériau non magnétique, d'une couche de référence comprenant un matériau ferromagnétique et présentant une direction de magnétisation fixe, d'une couche barrière comprenant un matériau non magnétique, et d'une couche d'enregistrement comprenant un matériau ferromagnétique ; la stratification, dans l'ordre suivant, d'une couche de référence comprenant un matériau ferromagnétique et présentant une direction de magnétisation fixe, et d'une couche d'enregistrement obtenue par l'intercalation d'une couche barrière comprenant un matériau non magnétique et d'une couche d'insertion comprenant un matériau non magnétique avec des première et seconde couches ferromagnétiques ; ou la réalisation d'une stratification dans un ordre opposé à l'un de ceux exposés ci-dessus, la couche de couplage magnétique et la couche d'insertion étant formées par un gaz de pulvérisation dans lequel la valeur du rapport, dans laquelle le nombre de masses de l'élément utilisé dans la couche de couplage magnétique et la couche d'insertion est divisé par le nombre de masses du gaz de pulvérisation, est de 2,2 ou moins.
(JA) よりTMR比が高く、成膜時に記録層および固定層の損傷を防ぐことができる磁気トンネル接合素子およびその製造方法を提供するために、積層順に、強磁性体から成り磁化方向が固定である固定層、非磁性体から成る磁気結合層、強磁性体から成り磁化方向が固定である参照層、非磁性体から成る障壁層および強磁性体から成る記録層を積層して構成、または、積層順に、強磁性体から成り磁化方向が固定である参照層、非磁性体から成る障壁層および非磁性体から成る挿入層を第1および第2の強磁性層で挟んで成る記録層を積層して構成、あるいは、前記積層順とは逆順で積層して構成する磁気トンネル接合素子を製造するに際し、磁気結合層および挿入層を、当該磁気結合層および当該挿入層に用いる元素の質量数を自らの質量数で割り算した比の値が2.2以下であるスパッタリングガスを使って成膜する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)