WO2018020695 SUBSTRAT DE DISSIPATION DE CHALEUR, BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR, MODULE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE DISSIPATION DE CHALEUR

Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication :	WO/2018/020695	N° de la demande internationale :	PCT/JP2016/081489
Date de publication :	01.02.2018	Date de dépôt international :	24.10.2016

CIB :

H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H05K 1/02 (2006.01)

Déposants :

SUPERUFO291 TEC[JP/JP]; 4F, CLOTO Building, 376, Ichinofunairi-cho, Kawaramachi-dori Nijyo-sagaru, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6040924, JP

Inventeurs :

FUKUI, Akira; JP

Mandataire :

KYOTO INTERNATIONAL PATENT LAW OFFICE; Hougen-Sizyokarasuma Building, 37, Motoakuozi-tyo, Higasinotouin Sizyo-sagaru, Simogyo-ku, Kyoto-si, Kyoto 6008091, JP

Données relatives à la priorité :

2016-148579

28.07.2016

Titre

(EN) HEAT DISSIPATION SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR PACKAGE, SEMICONDUCTOR MODULE AND HEAT DISSIPATION SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD
(FR) SUBSTRAT DE DISSIPATION DE CHALEUR, BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR, MODULE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE DISSIPATION DE CHALEUR
(JA) 放熱基板、半導体パッケージ、及び半導体モジュール、並びに放熱基板の製造方法

Abrégé :

(EN) In the present invention, a main body is made by introducing an insert, which uses as a core material a second metal having a greater thermal conductivity than a first metal, such that the insert passes through, in the thickness direction, a slab-shaped core base material using the first metal as a core material; a laminate is made by arranging, on the front and back surfaces of the main body, slab-shaped thermal conductive materials using as a core material a third metal having a greater thermal conductivity than the first metal; and a heat dissipation substrate is manufactured by subjecting the laminate to discharge plasma sintering at a temperature less than the melting points of the first metal, the second metal and the third metal.
(FR) Dans la présente invention, on réalise un corps principal en introduisant un insert, qui utilise comme matériau de noyau un second métal ayant une conductivité thermique supérieure à celle d'un premier métal, de telle sorte que l'insert passe à travers, dans la direction de l'épaisseur, un matériau de base de noyau en forme de plaque utilisant le premier métal comme matériau de noyau; un stratifié est obtenu par agencement, sur les surfaces avant et arrière du corps principal, des matériaux thermoconducteurs en forme de plaque utilisant comme matériau de noyau un troisième métal ayant une conductivité thermique supérieure à celle du premier métal; et un substrat de dissipation de chaleur est fabriqué en soumettant le stratifié à un frittage par décharge de plasma à une température inférieure aux points de fusion du premier métal, du deuxième métal et du troisième métal.
(JA) 第１の金属を芯材とする板状の芯基材を厚さ方向に貫通するように、前記第１の金属よりも熱伝導率が大きい第２の金属を芯材とする挿入体を導入して本体を作製し、前記本体の表面及び裏面にそれぞれ、前記第１の金属よりも熱伝導率が大きい第３の金属を芯材とする板状の熱伝導部材を配置して積層体を作製し、前記積層体を前記第１の金属、前記第２の金属、及び前記第３の金属の融点未満の温度で放電プラズマ焼結することにより放熱基板を製造する。

États désignés :

AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)

Langue de publication :

japonais (JA)

Langue de dépôt :

japonais (JA)

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