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1. (WO2018020695) SUBSTRAT DE DISSIPATION DE CHALEUR, BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR, MODULE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE DISSIPATION DE CHALEUR
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N° de publication : WO/2018/020695 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/081489
Date de publication : 01.02.2018 Date de dépôt international : 24.10.2016
CIB :
H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H05K 1/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36
Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
1
Circuits imprimés
02
Détails
Déposants :
株式会社半導体熱研究所 SUPERUFO291 TEC [JP/JP]; 京都府京都市中京区河原町通二条下ル一之船入町３７６　クロトビル４Ｆ 4F, CLOTO Building, 376, Ichinofunairi-cho, Kawaramachi-dori Nijyo-sagaru, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6040924, JP
Inventeurs :
福井　彰 FUKUI, Akira; JP
Mandataire :
特許業務法人京都国際特許事務所 KYOTO INTERNATIONAL PATENT LAW OFFICE; 京都府京都市下京区東洞院通四条下ル元悪王子町３７番地　豊元四条烏丸ビル Hougen-Sizyokarasuma Building, 37, Motoakuozi-tyo, Higasinotouin Sizyo-sagaru, Simogyo-ku, Kyoto-si, Kyoto 6008091, JP
Données relatives à la priorité :
2016-14857928.07.2016JP
Titre (EN) HEAT DISSIPATION SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR PACKAGE, SEMICONDUCTOR MODULE AND HEAT DISSIPATION SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD
(FR) SUBSTRAT DE DISSIPATION DE CHALEUR, BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR, MODULE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE DISSIPATION DE CHALEUR
(JA) 放熱基板、半導体パッケージ、及び半導体モジュール、並びに放熱基板の製造方法
Abrégé :
(EN) In the present invention, a main body is made by introducing an insert, which uses as a core material a second metal having a greater thermal conductivity than a first metal, such that the insert passes through, in the thickness direction, a slab-shaped core base material using the first metal as a core material; a laminate is made by arranging, on the front and back surfaces of the main body, slab-shaped thermal conductive materials using as a core material a third metal having a greater thermal conductivity than the first metal; and a heat dissipation substrate is manufactured by subjecting the laminate to discharge plasma sintering at a temperature less than the melting points of the first metal, the second metal and the third metal.
(FR) Dans la présente invention, on réalise un corps principal en introduisant un insert, qui utilise comme matériau de noyau un second métal ayant une conductivité thermique supérieure à celle d'un premier métal, de telle sorte que l'insert passe à travers, dans la direction de l'épaisseur, un matériau de base de noyau en forme de plaque utilisant le premier métal comme matériau de noyau; un stratifié est obtenu par agencement, sur les surfaces avant et arrière du corps principal, des matériaux thermoconducteurs en forme de plaque utilisant comme matériau de noyau un troisième métal ayant une conductivité thermique supérieure à celle du premier métal; et un substrat de dissipation de chaleur est fabriqué en soumettant le stratifié à un frittage par décharge de plasma à une température inférieure aux points de fusion du premier métal, du deuxième métal et du troisième métal.
(JA) 第１の金属を芯材とする板状の芯基材を厚さ方向に貫通するように、前記第１の金属よりも熱伝導率が大きい第２の金属を芯材とする挿入体を導入して本体を作製し、前記本体の表面及び裏面にそれぞれ、前記第１の金属よりも熱伝導率が大きい第３の金属を芯材とする板状の熱伝導部材を配置して積層体を作製し、前記積層体を前記第１の金属、前記第２の金属、及び前記第３の金属の融点未満の温度で放電プラズマ焼結することにより放熱基板を製造する。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)