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1. (WO2018020695) SUBSTRAT DE DISSIPATION DE CHALEUR, BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR, MODULE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE DISSIPATION DE CHALEUR

Pub. No.:    WO/2018/020695    International Application No.:    PCT/JP2016/081489
Publication Date: Fri Feb 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Tue Oct 25 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 23/36
H01L 23/12
H05K 1/02
Applicants: SUPERUFO291 TEC
株式会社半導体熱研究所
Inventors: FUKUI, Akira
福井 彰
Title: SUBSTRAT DE DISSIPATION DE CHALEUR, BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR, MODULE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE DISSIPATION DE CHALEUR
Abstract:
Dans la présente invention, on réalise un corps principal en introduisant un insert, qui utilise comme matériau de noyau un second métal ayant une conductivité thermique supérieure à celle d'un premier métal, de telle sorte que l'insert passe à travers, dans la direction de l'épaisseur, un matériau de base de noyau en forme de plaque utilisant le premier métal comme matériau de noyau; un stratifié est obtenu par agencement, sur les surfaces avant et arrière du corps principal, des matériaux thermoconducteurs en forme de plaque utilisant comme matériau de noyau un troisième métal ayant une conductivité thermique supérieure à celle du premier métal; et un substrat de dissipation de chaleur est fabriqué en soumettant le stratifié à un frittage par décharge de plasma à une température inférieure aux points de fusion du premier métal, du deuxième métal et du troisième métal.