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1. (WO2018020590) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET PROGRAMME
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/020590    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/071923
Date de publication : 01.02.2018 Date de dépôt international : 26.07.2016
CIB :
H01L 21/31 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01)
Déposants : HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 15-12, Nishi-shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058039 (JP)
Inventeurs : HARA Daisuke; (JP).
HORII Sadayoshi; (JP).
INADA Tetsuaki; (JP).
OKUNO Masahisa; (JP).
TATENO Hideto; (JP)
Mandataire : FUKUOKA Masahiro; (JP).
ANIYA Setuo; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SUBSTRATE TREATING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PROGRAM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET PROGRAMME
(JA) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is provided with: a reaction tube which accommodates a substrate; a gas supply port that supplies a treating gas to the substrate inside the reaction tube; and a liquid discharge nozzle that discharges a liquid, which is generated by the liquefaction of the treating gas inside the reaction tube, from a bottom part of the reaction tube to the outside of the reaction tube.
(FR)La présente invention comporte : un tube de réaction qui reçoit un substrat; un orifice d'alimentation en gaz qui fournit un gaz de traitement au substrat à l'intérieur du tube de réaction; et une buse de décharge de liquide qui décharge un liquide, qui est généré par la liquéfaction du gaz de traitement à l'intérieur du tube de réaction, depuis une partie inférieure du tube de réaction vers l'extérieur du tube de réaction.
(JA)基板が収容される反応管と、反応管内の基板に対して処理ガスを供給するガス供給ポートと、反応管の内部で処理ガスが液化することで生じる液体を反応管の底部から反応管の外部へ排出する排液ノズルと、を備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)