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1. (WO2018020318) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR REMPLIR UN
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N° de publication :    WO/2018/020318    N° de la demande internationale :    PCT/IB2017/001050
Date de publication : 01.02.2018 Date de dépôt international : 14.07.2017
CIB :
H01L 21/316 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01)
Déposants : ASM IP HOLDING B.V. [NL/NL]; Versterkerstraat B 1322 AP Almere (NL)
Inventeurs : PORE, Viljami; (FI).
KNAEPEN, Werner; (BE).
JONGBLOED, Bert; (BE).
PIERREUX, Dieter; (BE).
VAN AERDE, Steven; (BE).
HAUKKA, Suvi; (FI).
FUKAZAWA, Atsuki; (NL).
FUKUDA, Hideaki; (NL)
Données relatives à la priorité :
15/222,738 28.07.2016 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR FILLING A GAP
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR REMPLIR UN
Abrégé : front page image
(EN)According to the invention there is provided a method of filling one or more gaps created during manufacturing of a feature on a substrate by providing a deposition method comprising; introducing a first reactant to the substrate with a first dose, thereby forming no more than about one monolayer by the first reactant; introducing a second reactant to the substrate with a second dose. The first reactant is introduced with a subsaturating first dose reaching only a top area of the surface of the one or more gaps and the second reactant is introduced with a saturating second dose reaching a bottom area of the surface of the one or more gaps. A third reactant may be provided to the substrate in the reaction chamber with a third dose, the third reactant reacting with at least one of the first and second reactant.
(FR)Selon l'invention, il est proposé un procédé de remplissage d'un ou de plusieurs gaps créés pendant la fabrication d'une caractéristique sur un substrat en fournissant un procédé de dépôt comprenant; à introduire un premier réactif dans le substrat avec une première dose, ce qui permet de former pas plus qu'à propos d'une monocouche par le premier réactif; à introduire un second réactif dans le substrat avec une seconde dose. Le premier réactif est introduit avec une première dose de sous-saturation n'atteignant qu'une zone supérieure de la surface du ou des gaps et le second réactif est introduit avec une seconde dose saturante atteignant une zone inférieure de la surface du ou des gaps. Un troisième réactif peut être fourni au substrat dans la chambre de réaction avec une troisième dose, le troisième réactif réagissant avec au moins l'un des premier et second réactifs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)