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1. (WO2018020316) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE REMPLISSAGE D'UN INTERVALLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/020316    N° de la demande internationale :    PCT/IB2017/001015
Date de publication : 01.02.2018 Date de dépôt international : 14.07.2017
CIB :
H01L 21/316 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01)
Déposants : ASM IP HOLDING B.V. [NL/NL]; Versterkerstraat 8 1322 AP Almere (NL)
Inventeurs : PORE, Viljami; (FI).
KNAEPEN, Werner; (BE).
JONGBLOED, Bert; (BE).
PIERREUX, Dieter; (BE).
VAN DER STAR, Gido; (BE).
SUZUKI, Toshiya; (FI)
Données relatives à la priorité :
15/222,715 28.07.2016 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR FILLING A GAP
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE REMPLISSAGE D'UN INTERVALLE
Abrégé : front page image
(EN)There is provided a method of filling one or more gaps by providing the substrate in a reaction chamber and introducing a first reactant to the substrate with a first dose, thereby forming no more than about one monolayer by the first reactant on a first area; introducing a second reactant to the substrate with a second dose, thereby forming no more than about one monolayer by the second reactant on a second area of the surface, wherein the first and the second areas overlap in an overlap area where the first and second reactants react and leave an initially unreacted area where the first and the second areas do not overlap; and, introducing a third reactant to the substrate with a third dose, the third reactant reacting with the first or second reactant remaining on the initially unreacted area.
(FR)L'invention concerne un procédé de remplissage d'un ou de plusieurs intervalles par mise en place du substrat dans une chambre de réaction et par introduction d'un premier réactif sur le substrat suivant une première dose, ce qui permet de former au maximum environ une monocouche par le premier réactif sur une première zone; par introduction d'un deuxième réactif sur le substrat suivant une deuxième dose, ce qui permet de former au maximum environ une monocouche par le deuxième réactif sur une seconde zone de la surface, les première et seconde zones se chevauchant dans une zone de chevauchement où les premier et deuxième réactifs réagissent et laissent une zone n'ayant pas réagi initialement où les première et seconde zones ne se chevauchent pas; et par introduction d'un troisième réactif sur le substrat suivant une troisième dose, le troisième réactif réagissant avec le premier ou le deuxième réactif restant sur la zone n'ayant pas réagi initialement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)