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1. (WO2018020240) PROCÉDÉ DE SYNTHÈSE DE NANOCRISTAUX SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication : WO/2018/020240 N° de la demande internationale : PCT/GB2017/052176
Date de publication : 01.02.2018 Date de dépôt international : 26.07.2017
CIB :
C09K 11/56 (2006.01) ,C09K 11/66 (2006.01) ,C09K 11/88 (2006.01) ,H01L 31/00 (2006.01)
Déposants : OXFORD UNIVERSITY INNOVATION LIMITED[GB/GB]; Buxton Court 3 West Way Oxford OX2 0JB, GB
Inventeurs : HOU, Bo; GB
CHA, SeungNam; GB
Mandataire : DEHNS; St Bride's House 10 Salisbury Square London EC4Y 8JD, GB
Données relatives à la priorité :
1613014.827.07.2016GB
Titre (EN) PROCESS FOR THE SYNTHESIS OF SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS
(FR) PROCÉDÉ DE SYNTHÈSE DE NANOCRISTAUX SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN) The invention relates to a process for the synthesis of semiconductor nanocrystals, comprising mixing a nonaqueous solution of a metal precursor with a solid-state chalcogen and reacting the resulting mixture at a temperature of about 90 °C or greater. In another aspect the invention relates to the use of a solid chalcogen in the heterogeneous synthesis of metal chalcogenide semiconductor nanocrystals. Semiconductor nanocrystals obtainable by the processes of the invention are further provided. In particular, nanocrystalline PbS or PbSe having a band gap of greater than 1.6 eV and/or a photoluminescence emission wavelength of about 440 to about 515 nm, and nanocrystalline ZnS or ZnSe having a photoluminescence emission wavelength of about 410 to about 430 nm, and solar cells comprising such nanocrystals, are provided.
(FR) L'invention concerne un procédé de synthèse de nanocristaux semi-conducteurs qui comprend le mélange d'une solution non aqueuse d'un précurseur métallique avec un chalcogène à l'état solide et la réaction du mélange obtenu à une température d'environ 90 °C ou plus. Selon un autre aspect, l'invention concerne l'utilisation d'un chalcogène solide dans la synthèse hétérogène de nanocristaux semi-conducteurs de chalcogénure métallique. L'invention porte également sur des nanocristaux semi-conducteurs pouvant être obtenus par les procédés de l'invention. L'invention concerne en particulier du PbS ou du PbSe nanocristallin ayant une bande interdite supérieure à 1,6 eV et/ou une longueur d'onde d'émission de photoluminescence d'environ 440 à environ 515 nm, et du ZnS ou du ZnSe nanocristallin ayant une longueur d'onde d'émission de photoluminescence d'environ 410 à environ 430 nm, ainsi que des cellules solaires comprenant de tels nanocristaux.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)