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1. (WO2018020213) DISPOSITIF MEMS ET PROCÉDÉ
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N° de publication :    WO/2018/020213    N° de la demande internationale :    PCT/GB2017/052052
Date de publication : 01.02.2018 Date de dépôt international : 13.07.2017
CIB :
H04R 9/04 (2006.01), H04R 19/00 (2006.01), B81B 3/00 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01)
Déposants : CIRRUS LOGIC INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LIMITED [GB/GB]; 7B Nightingale Way Quartermile Edinburgh Lothian EH3 9EG (GB)
Inventeurs : DEAS, James Thomas; (GB).
CARGILL, Scott Lyall; (GB)
Mandataire : COOPER-ROLFE, Elizabeth; (GB)
Données relatives à la priorité :
62/367,997 28.07.2016 US
1616860.1 04.10.2016 GB
Titre (EN) MEMS DEVICE AND PROCESS
(FR) DISPOSITIF MEMS ET PROCÉDÉ
Abrégé : front page image
(EN)The application describes a MEMS transducer in which first and second conductive elements of a capacitor are both provided on the membrane. The membrane is shaped that the first and second conductive elements are displaced relative to each other when the flexible membrane deflects in response to a pressure differential across the membrane. For example the membrane may be corrugated.
(FR)L'invention décrit un transducteur MEMS dans lequel un premier et un second élément conducteur d'un condensateur sont tous deux disposés sur la membrane. La membrane est formée de manière à ce que les premier et second éléments conducteurs soient déplacés l'un par rapport à l'autre lorsque la membrane souple dévie en réponse à un différentiel de pression à travers la membrane. Par exemple, la membrane peut être ondulée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)