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1. (WO2018019598) PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UN DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE
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N° de publication :    WO/2018/019598    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/067633
Date de publication : 01.02.2018 Date de dépôt international : 12.07.2017
CIB :
H01L 51/42 (2006.01)
Déposants : EXEGER OPERATIONS AB [SE/SE]; Box 55597 SE-102 04 Stockholm (SE)
Inventeurs : LINDSTRÖM, Henrik; (SE).
FILI, Giovanni; (SE)
Mandataire : SWEA IP LAW AB; Box 44 SE-151 21 Södertälje (SE)
Données relatives à la priorité :
1651090-1 29.07.2016 SE
1651521-5 21.11.2016 SE
Titre (EN) A METHOD FOR PRODUCING A PHOTOVOLTAIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UN DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method for manufacturing a photovoltaic device comprising: -forming a porous first conducting layer on one side of a porous insulating substrate, -coating the first conducting layer with a layer of grains of a doped semiconducting material to form a structure, -performing a first heat treatment of the structure to bond the grains to the first conducting layer, -forming electrically insulating layers on surfaces of the first conducting layer, -forming a second conducting layer on an opposite side of the porous insulating substrate, -applying a charge conducting material onto the surfaces of the grains, inside pores of the first conducting layer, and inside pores of the insulating substrate, and -electrically connecting the charge conducting material to the second conducting layer.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé permettant de fabriquer un dispositif photovoltaïque, ledit procédé consistant : à former une première couche conductrice poreuse sur un côté d'un substrat isolant poreux, à revêtir la première couche conductrice d'une couche de grains d'un matériau semi-conducteur dopé pour former une structure, à effectuer un premier traitement thermique de la structure pour lier les grains à la première couche conductrice, à former des couches électro-isolantes sur des surfaces de la première couche conductrice, à former une seconde couche conductrice sur un côté opposé du substrat isolant poreux, à appliquer un matériau conducteur de charges sur les surfaces des grains, à l'intérieur des pores de la première couche conductrice et à l'intérieur des pores du substrat isolant, et à raccorder électriquement le matériau conducteur de charges à la seconde couche conductrice.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)