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1. (WO2018019448) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP VERTICAL ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/019448    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/062743
Date de publication : 01.02.2018 Date de dépôt international : 26.05.2017
CIB :
H01L 51/10 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
Déposants : SARALON GMBH [--/DE]; Hall L Lothringer Straße 11 09120 Chemnitz (DE)
Inventeurs : ALI, Moazzam; (DE).
NAIR, Rakesh R.; (DE)
Mandataire : HARRISON, Robert; (DE)
Données relatives à la priorité :
1612830.8 25.07.2016 GB
Titre (EN) VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP VERTICAL ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(EN)A vertical channel field-effect transistor is taught. The vertical channel field-effect transistor comprises a primary substrate (510) and a secondary substrate. A bottom conducting layer (520) is provided on the primary substrate. A top conducting layer (530) is transferred from a secondary substrate to the primary substrate by using an insulating adhesive layer (570). The thickness of the insulating adhesive layer defines the channel length. The portion of the top conducting layer which is over the bottom conducting layer defines the maximum possible channel. At least one semiconducting layer (540) is provided on and around a perimeter of at least a portion of the channel width. At least one insulating layer (550) is provided on at least a portion of the at least one semiconducting layer. At least one gate conducting layer (560) provided on at least a portion of the at least one insulating layer.
(FR)L'invention concerne un transistor à effet de champ à canal vertical. Le transistor à effet de champ à canal vertical comprend un substrat primaire (510) et un substrat secondaire. Une couche conductrice inférieure (520) se trouve sur le substrat primaire. Une couche conductrice supérieure (530) est transférée d'un substrat secondaire au substrat primaire en utilisant une couche adhésive isolante (570). L'épaisseur de la couche adhésive isolante définit la longueur du canal. La portion de la couche conductrice supérieure qui se trouve au-dessus de la couche conductrice inférieure définit le canal maximal possible. Au moins une couche en semiconducteur (540) est disposée sur et autour d'un périmètre d'au moins une portion de la largeur de canal. Au moins une couche isolante (550) est disposée sur au moins une portion de ladite couche en semiconducteur. Au moins une couche conductrice de gâchette (560) est disposée sur au moins une portion de ladite couche isolante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)