WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018019311) CIRCUIT DISSYMÉTRIQUE DE DOUBLAGE DE FRÉQUENCE À ÉCHELLE THZ À CAPACITÉ DE PUISSANCE ÉLEVÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/019311 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/099274
Date de publication : 01.02.2018 Date de dépôt international : 28.08.2017
CIB :
H03B 19/14 (2006.01)
Déposants : THE 13TH RESEARCH INSTITUTE OF CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION[CN/CN]; NO.113 Cooperation Road, Xinhua District Shijiazhuang, Hebei 050051, CN
Inventeurs : WANG, Junlong; CN
FENG, Zhihong; CN
YANG, Dabao; CN
LIANG, Shixiong; CN
ZHANG, Lisen; CN
ZHAO, Xiangyang; CN
XING, Dong; CN
XU, Peng; CN
Mandataire : SHIJIAZHUANG GOWELL INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; 9 Floor NO.45, Tangu South Street Shijiazhuang, Hebei 050011, CN
Données relatives à la priorité :
201610608507.429.07.2016CN
Titre (EN) HIGH POWER CAPACITY THZ-SCALE FREQUENCY DOUBLING UNBALANCED CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DISSYMÉTRIQUE DE DOUBLAGE DE FRÉQUENCE À ÉCHELLE THZ À CAPACITÉ DE PUISSANCE ÉLEVÉE
(ZH) 耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路
Abrégé : front page image
(EN) The present invention discloses a high power capacity THz-scale frequency doubling unbalanced circuit related to the technical field of THz-scale circuits. The circuit comprises a radio frequency input waveguide, a quartz substrate, and a radio frequency output waveguide. One end of the quartz substrate is located in a waveguide groove of the radio frequency input waveguide. The other end of the quartz substrate is located in a waveguide groove of the radio frequency output waveguide. An input microstrip transition line is located on the quartz substrate. One end of the microstrip transition line is connected to an output microstrip transition line via, sequentially, a first microstrip transmission line, a low-pass filter, a radio frequency matching microstrip line, and a second microstrip transmission line. Anodes of four multi-junction THz-scale GaAs frequency doubling diodes are connected to the radio frequency matching microstrip line, and the outermost anode of each of the multi-junction THz-scale GaAs frequency doubling diodes is connected to a grounding quartz strip line. The circuit has a simple structure and can handle greater input power because of an increased number of Schottky diodes.
(FR) La présente invention concerne un circuit dissymétrique de doublage de fréquence à l’échelle THz à capacité de puissance élevée associé au domaine technique des circuits à l’échelle THz. Le circuit comprend un guide d’ondes d’entrée à radiofréquence, un substrat de quartz et un guide d’ondes de sortie de radiofréquence. Une extrémité du substrat de quartz est située dans une rainure de guide d’ondes du guide d’ondes d’entrée de radiofréquence. L’autre extrémité du substrat de quartz est située dans une rainure de guide d’ondes du guide d’ondes de sortie à radiofréquence. Une ligne microruban de transition d’entrée est située sur le substrat de quartz. Une extrémité de la ligne microruban de transition est connectée à une ligne microruban de transition de sortie par l’intermédiaire, séquentiellement, d’une première ligne microruban de transmission, un filtre passe-bas, une ligne à microruban d’adaptation de radiofréquence et une deuxième ligne de transmission à microruban. Des anodes de quatre diodes de doublage de fréquence à GaAs à échelle THz à multijonctions sont connectées à la ligne microruban d’adaptation de radiofréquence, et l’anode extérieure de chacune des diodes de doublage de fréquence à GaAs à échelle THz à jonctions multiples est connectée à une ligne ruban de quartz de mise à la terre. Le circuit a une structure simple et peut gérer une puissance d’entrée plus élevée grâce à un nombre accru de diodes Schottky.
(ZH) 本发明公开了一种耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路,涉及太赫兹电路技术领域。所述电路包括射频输入波导、石英基板和射频输出波导,所述石英基板的一端位于所述射频输入波导的波导槽内,所述石英基板的另一端位于所述射频输出波导的波导槽内,输入过渡微带线位于所述石英基板上,所述过渡微带线的一端依次经第一传输微带线、低通滤波器、射频匹配微带线、第二传输微带线与输出过渡微带线连接,四个多管结GaAs太赫兹倍频二极管的阳极与射频匹配微带线连接,每个多管结GaAs太赫兹倍频二极管位于最外侧的阴极与一个接地端石英带线连接。所述电路结构简单,由于肖特基二极管数目的增多,可承受更大的输入功率。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)