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1. (WO2018018894) PROCÉDÉ DE POLISSAGE CHIMIQUE DE TRANCHES DE FILAMENTS DE SAPHIR
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N° de publication : WO/2018/018894 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/076571
Date de publication : 01.02.2018 Date de dépôt international : 14.03.2017
CIB :
H01L 21/306 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
Déposants :
常州亿晶光电科技有限公司 EGING PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; 中国江苏省常州市 金坛区尧塘镇金武路18号 18' Jinwu Road, Yaotang Town, Jintan Changzhou, Jiangsu 213213, CN
Inventeurs :
赵能伟 ZHAO, Nengwei; CN
Mandataire :
常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) CHANGZHOU INNOVATION PATENT AGENCY FIRM (GENERAL PARTNER); 中国江苏省常州市 武进区湖塘镇人民中路151号2号楼4楼 F4, Building 2 No.151 Middle Renmin Road, Wujin Changzhou, Jiangsu 213161, CN
Données relatives à la priorité :
201610604402.128.07.2016CN
Titre (EN) PROCESS FOR CHEMICAL POLISHING OF SAPPHIRE FILAMENT WAFERS
(FR) PROCÉDÉ DE POLISSAGE CHIMIQUE DE TRANCHES DE FILAMENTS DE SAPHIR
(ZH) 一种蓝宝石灯丝晶片的化学抛光方法
Abrégé :
(EN) Disclosed is a process for chemical polishing of sapphire filament wafers, comprising the following technological processes: a. cleaning and cutting into square pieces, and air-drying; b. alkaline high-temperature corrosion; c. cleaning; d. phosphoric acid corrosion; e. mixed acid chemical polishing; and f. cleaning. By using the chemical polishing process, the surface residual stress of the wafers can be effectively eliminated, the surface roughness of the wafers is reduced, and the production cost is greatly reduced.
(FR) L'invention concerne un procédé de polissage chimique de tranches de filaments de saphir, comprenant les processus technologiques suivants : a. nettoyage et découpe en pièces carrées, et séchage à l'air; b. une corrosion alcaline à haute température; c. nettoyage; d. corrosion d'acide phosphorique; e. polissage chimique acide mélangé; et f. nettoyage En utilisant le procédé de polissage chimique, on peut éliminer efficacement la contrainte résiduelle de surface des tranches, réduire la rugosité de surface des tranches, et réduire considérablement le coût de production.
(ZH) 一种蓝宝石灯丝晶片的化学抛光工艺,包括以下工艺流程:a.清洗切割方片,并风干;b.碱高温腐蚀;c.清洗;d.磷酸腐蚀;e.混合酸化学抛光;f.清洗。采用该化学抛光工艺,可以有效的去除晶片表面残余应力和降低晶片表面粗糙度,并大幅度降低生产成本。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)