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1. (WO2018018893) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET APPAREIL D'AFFICHAGE

Pub. No.:    WO/2018/018893    International Application No.:    PCT/CN2017/076276
Publication Date: Fri Feb 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat Mar 11 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 29/786
H01L 29/06
H01L 29/10
H01L 21/336
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.
京东方科技集团股份有限公司
HEFEI BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.
合肥京东方光电科技有限公司
Inventors: AN, Hui
安晖
XU, Dezhi
徐德智
DUAN, Xianxue
段献学
Title: TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET APPAREIL D'AFFICHAGE
Abstract:
La présente invention concerne un transistor à couches minces et son procédé de préparation, un substrat de réseau et un appareil d'affichage. Le procédé consiste : avant la formation de diverses couches de structures d'un transistor à couches minces, à utiliser un processus de formation de motifs permettant de former une partie saillante en forme de bande (02) sur un substrat, puis à former successivement une électrode de grille (03), une couche d'isolation d'électrode de grille (04), une couche active (05) et des électrodes de source et déversoir (06, 07) sur la partie saillante en forme de bande, de telle sorte qu'un transistor à couches minces ayant un canal correspondant à la forme de la partie saillante en forme de bande dans le sens de la largeur peut être préparé. Le canal du transistor à couches minces présente une structure concave-convexe correspondant à la partie saillante en forme de bande dans le sens de la largeur, et à l'endroit où la zone de saillie du transistor à couches minces est inchangée, le rapport largeur/longueur peut être augmenté, le courant conducteur du transistor à couches minces peut être augmenté et la consommation d'énergie peut être réduite; à l'endroit où le même rapport largeur/longueur est maintenu, la longueur du canal peut être réduite, et ainsi le rapport d'ouverture de l'appareil d'affichage peut être amélioré.