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1. (WO2018018709) STRUCTURE DE PIXELS DE DÉTECTEUR INFRAROUGE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
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N° de publication : WO/2018/018709 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/098381
Date de publication : 01.02.2018 Date de dépôt international : 08.09.2016
CIB :
B81B 7/00 (2006.01) ,B81C 1/00 (2006.01) ,G01J 5/22 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81
TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
B
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE, p.ex. DISPOSITIFS MICROMÉCANIQUES
7
Systèmes à microstructure
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81
TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
C
PROCÉDÉS OU APPAREILS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À LA FABRICATION OU AU TRAITEMENT DE DISPOSITIFS OU DE SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE
1
Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
J
MESURE DE L'INTENSITÉ, DE LA VITESSE, DU SPECTRE, DE LA POLARISATION, DE LA PHASE OU DES CARACTÉRISTIQUES D'IMPULSIONS DE LUMIÈRE INFRAROUGE, VISIBLE OU ULTRAVIOLETTE; COLORIMÉTRIE; PYROMÉTRIE DES RADIATIONS
5
Pyrométrie des radiations
10
en utilisant des détecteurs électriques de radiations
20
en utilisant des éléments résistants, thermorésistants ou semi-conducteurs sensibles aux radiations
22
Particularités électriques
Déposants : SHANGHAI IC R & D CENTER CO., LTD.[CN/CN]; TANG, Chenchen 497 Gaosi Road, Zhangjiang Hi-Tech Park Shanghai 201210, CN
Inventeurs : KANG, Xiaoxu; CN
Mandataire : SHANGHAI TIANCHEN INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY; CAO, Ting 3302 Tower 1, No. 388 Zhongjiang Road, Putuo Shanghai 200062, CN
Données relatives à la priorité :
201610602975.028.07.2016CN
201610605232.928.07.2016CN
201610605284.628.07.2016CN
Titre (EN) INFRARED DETECTOR PIXEL STRUCTURE AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) STRUCTURE DE PIXELS DE DÉTECTEUR INFRAROUGE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 红外探测器像元结构及其制备方法
Abrégé :
(EN) A three-dimensional infrared detector pixel structure and preparation method therefor, the three-dimensional infrared detector pixel structure comprising: a conductive metal area on a surface of a silicon substrate; an infrared detection structure located above the silicon substrate and used for detecting infrared light and generating an electrical signal; and a conductive beam structure connected to the infrared detection structure and used for transmitting the electrical signal generated by the infrared detection structure to the conductive metal area. The conductive beam structure comprises at least one layer of conductive beam and multiple layers of conductive trenches that are arranged in a vertical direction. Both ends of each layer of conductive beam are separately in contact with two layers of conductive trenches whose bottoms are in different horizontal planes. The infrared detection structure is in contact with one layer of conductive trench or one layer of conductive beam. The conductive metal area is in contact with the bottom of another layer of conductive trench. The electrical signal generated by the infrared detection structure is transmitted along the height direction of the conductive trenches and the horizontal direction of the conductive beam, so as to be downwardly transmitted to the conductive metal area along a winding path in the vertical direction.
(FR) L'invention concerne une structure de pixels de détecteur infrarouge en trois dimensions et son procédé de préparation, la structure de pixel de détecteur infrarouge en trois dimensions comprenant : une zone métallique conductrice sur une surface d'un substrat en silicium ; une structure de détection d'infrarouge située au-dessus du substrat en silicium et utilisée pour détecter la lumière infrarouge et générer un signal électrique ; et une structure de faisceau conducteur connectée à la structure de détection d'infrarouge et utilisée pour transmettre le signal électrique généré par la structure de détection d'infrarouge à la zone métallique conductrice. La structure de faisceau conducteur comprend au moins une couche de faisceau conducteur et de multiples couches de tranchées conductrices qui sont disposées dans une direction verticale. Les deux extrémités de chaque couche de faisceau conducteur sont en contact séparément avec deux couches de tranchées conductrices dont les fonds sont dans des plans horizontaux différents. La structure de détection d'infrarouge est en contact avec une couche de tranchée conductrice ou une couche de faisceau conducteur. La zone métallique conductrice est en contact avec le fond d'une autre couche de tranchée conductrice. Le signal électrique généré par la structure de détection d'infrarouge est transmis le long de la hauteur des tranchées conductrices et de la direction horizontale du faisceau conducteur, de manière à être transmis vers le bas à la zone métallique conductrice le long d'un chemin d'enroulement dans la direction verticale.
(ZH) 一种三维红外探测器像元结构及其制备方法,包括硅衬底表面的导电金属区,位于硅衬底上方的红外探测结构,其用于探测红外光并产生电信号;以及与红外探测结构相连接的导电梁结构,其用于将红外探测结构产生的电信号传输到导电金属区;导电梁结构包括:竖直方向上排布的至少一层导电梁和多层导电沟槽;每一层导电梁的两端分别接触底部不在同一水平面的两层导电沟槽,红外探测结构与其中一层导电沟槽或其中一层导电梁相接触;导电金属区与其中另一层导电沟槽底部接触;红外探测结构产生的电信号沿着导电沟槽的高度方向和导电梁的水平方向传输,从而在竖直方向上呈迂回路径向下传输到导电金属区
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)