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1. (WO2017222990) STRUCTURE ÉPITAXIALE D'ALN/OXYDE DE TERRE RARE POUR APPLICATIONS DE FILTRE RADIOFRÉQUENCE
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N° de publication :    WO/2017/222990    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/038142
Date de publication : 28.12.2017 Date de dépôt international : 19.06.2017
CIB :
H01L 41/08 (2006.01), H01L 41/319 (2013.01), H03H 3/02 (2006.01), H03H 9/02 (2006.01)
Déposants : IQE, PLC [GB/GB]; Iqe Plc Head Office Pascal Close St. Mellons, Cardiff CF3 0LW (GB).
WANG, Wang, Nang [--/GB]; (GB) (US only).
CLARK, Andrew [AU/US]; (US) (US only).
DARGIS, Rytis [LT/US]; (US) (US only).
LEBBY, Michael [GB/US]; (US) (US only).
PELZEL, Rodney [US/US]; (US) (US only)
Inventeurs : WANG, Wang, Nang; (GB).
CLARK, Andrew; (US).
DARGIS, Rytis; (US).
LEBBY, Michael; (US).
PELZEL, Rodney; (US)
Mandataire : INGERMAN, Jeffrey, H.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/351,995 19.06.2016 US
Titre (EN) EPITAXIAL ALN/RARE EARTH OXIDE STRUCTURE FOR RF FILTER APPLICATIONS
(FR) STRUCTURE ÉPITAXIALE D'ALN/OXYDE DE TERRE RARE POUR APPLICATIONS DE FILTRE RADIOFRÉQUENCE
Abrégé : front page image
(EN)Proposed is a layer structure (1100, 1030) comprising a crystalline piezoelectric III-N layer (1110, 1032) epitaxially grown over a metal layer which is epitaxially grown over a rare earth oxide layer on a semiconductor (1102, 1002). The rare earth oxide layer includes at least two discrete portions (1104, 1004), and the metal layer includes at least one metal portion (1108, 1006) that partially overlaps adjacent discrete portions, preferably forming a bridge over an air gap (1008), particularly suitable for RF filters.
(FR)La présente invention concerne une structure de couche (1100, 1030) comprenant une couche III-N piézoélectrique cristalline (1110, 1032) formée par croissance épitaxiale sur une couche métallique qui est obtenue par croissance épitaxiale sur une couche d'oxyde de terre rare sur un semi-conducteur (1102, 1002). La couche d'oxyde de terre rare comprend au moins deux parties discrètes (1104, 1004), et la couche métallique comprend au moins une partie métallique (1108, 1006) qui chevauche partiellement des parties discrètes adjacentes, formant de préférence un pont au niveau d'un entrefer (1008), particulièrement approprié pour des filtres radiofréquence.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)