Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2017222974) COUVERCLE DE PROTECTION DE SANGLE DE RETOUR RF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/222974 N° de la demande internationale : PCT/US2017/038117
Date de publication : 28.12.2017 Date de dépôt international : 19.06.2017
CIB :
H01J 37/32 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32
Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205
en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
Déposants :
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
CUI, Yi; US
TINER, Robin L.; US
PARK, Beom Soo; US
CHOI, Soo Young; US
KURITA, Shinichi; US
Mandataire :
PATTERSON, B. Todd; US
TABOADA, Keith; US
Données relatives à la priorité :
62/352,87121.06.2016US
Titre (EN) RF RETURN STRAP SHIELDING COVER
(FR) COUVERCLE DE PROTECTION DE SANGLE DE RETOUR RF
Abrégé :
(EN) Embodiments described herein generally relate to a substrate support assembly having a shield cover. In one embodiment, a substrate support assembly is disclosed herein. The substrate support assembly includes a support plate, a plurality of RF return straps, at least one shield cover, and a stem. The support plate is configured to support a substrate. The plurality of RF return straps are coupled to a bottom surface of the support plate. At least one shield cover is coupled to the bottom surface of the support plate, between the plurality of RF return straps and the bottom surface. The stem is coupled to the support plate.
(FR) Des modes de réalisation de l'invention concernent de façon générale un ensemble support de substrat ayant un couvercle de protection. Selon un mode de réalisation, l'invention concerne un ensemble support de substrat. L'ensemble support de substrat comprend une plaque de support, une pluralité de sangles de retour RF, au moins un couvercle de protection et une tige. La plaque de support est conçue de sorte à supporter un substrat. La pluralité de sangles de retour RF sont couplées à une surface inférieure de la plaque de support. Au moins un couvercle de protection est couplé à la surface inférieure de la plaque de support, entre la pluralité de sangles de retour RF et la surface inférieure. La tige est couplée à la plaque de support.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)