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1. (WO2017222818) GESTION DE RAFRAÎCHISSEMENT POUR MÉMOIRE FLASH
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N° de publication : WO/2017/222818 N° de la demande internationale : PCT/US2017/036397
Date de publication : 28.12.2017 Date de dépôt international : 07.06.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 22.11.2017
CIB :
G11C 16/34 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
34
Détermination de l'état de programmation, p.ex. de la tension de seuil, de la surprogrammation ou de la sousprogrammation, de la rétention
Déposants :
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs :
SHIN, Hyunsuk; US
HARDACKER, Robert; US
VUONG, Hung; US
Mandataire :
OLDS, Mark E.; US
CICCOZZI, John L.; US
PODHAJNY, Daniel; US
Données relatives à la priorité :
15/615,82706.06.2017US
62/352,39320.06.2016US
Titre (EN) MANAGING REFRESH FOR FLASH MEMORY
(FR) GESTION DE RAFRAÎCHISSEMENT POUR MÉMOIRE FLASH
Abrégé :
(EN) Systems and method for a host-driven data refresh of a Flash memory include registers provided in the Flash memory for storing various settings related to refresh operations, such as, when to start/stop refreshing, target partitions in the memory, target start/end address ranges for refreshing, refresh algorithms, refresh rate requirements, etc. A host can control the various settings for start/stop refreshing, target partitions in the memory, target start/end address ranges for refreshing, refresh algorithms, through the corresponding registers; and the Flash memory can control various values related to refresh rate requirements through corresponding registers. In this manner, a standard platform or interface is provided within the Flash memory for refresh operations thereof.
(FR) La présente invention concerne des systèmes et un procédé de rafraîchissement de données commandé par un hôte d'une mémoire Flash comprenant des registres prévus dans la mémoire Flash pour stocker divers réglages relatifs à des opérations de rafraîchissement, telles que, lors de la mise en marche/arrêt du rafraîchissement, des partitions cibles dans la mémoire, des plages d'adresses de début/fin cible pour le rafraîchissement, des algorithmes de rafraîchissement, des exigences de fréquence de rafraîchissement, etc. Un hôte peut commander les différents réglages pour le rafraîchissement de démarrage/d'arrêt, les partitions cibles dans la mémoire, les plages d'adresses de début/fin cible pour le rafraîchissement, des algorithmes de rafraîchissement, par l'intermédiaire des registres correspondants; et la mémoire Flash peut contrôler diverses valeurs relatives aux exigences de fréquence de rafraîchissement par l'intermédiaire de registres correspondants. De cette manière, une plate-forme ou interface standard est prévue à l'intérieur de la mémoire Flash pour les opérations de rafraîchissement de celle-ci.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)