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1. (WO2017222795) ATTÉNUATION DE L'EFFET DE LONGUEUR DE DIFFUSION DE CELLULES LOGIQUES ET LEUR PLACEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/222795    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/035934
Date de publication : 28.12.2017 Date de dépôt international : 05.06.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.04.2018    
CIB :
G06F 17/50 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : BOWERS, Benjamin John; (US).
CORREALE, Anthony, Jr.; (US).
DELLA ROVA, Tracey; (US)
Mandataire : CICCOZZI, John L.; (US).
OLDS, Mark E.; (US).
PODHAJNY, Daniel; (US)
Données relatives à la priorité :
15/193,003 25.06.2016 US
Titre (EN) MITIGATING LENGTH-OF-DIFFUSION EFFECT FOR LOGIC CELLS AND PLACEMENT THEREOF
(FR) ATTÉNUATION DE L'EFFET DE LONGUEUR DE DIFFUSION DE CELLULES LOGIQUES ET LEUR PLACEMENT
Abrégé : front page image
(EN)Systems and methods relate to cell placement methodologies for improving length of diffusion of transistors. For example, a first transistor with a first diffusion node which is bounded by a first diffusion cut is identified in a transistor level layout. The first diffusion cut is replaced with a first floating gate, and a first filler cell with a first filler diffusion region is added to extend a length of diffusion of the first diffusion node. Increasing the length of diffusion leads to improving drive strength and performance of the first transistor.
(FR)La présente invention concerne des systèmes et des procédés relatifs à des méthodologies de placement de cellules permettant d'améliorer la longueur de diffusion de transistors. Par exemple, un premier transistor ayant un premier nœud de diffusion qui est délimité par une première coupure de diffusion est identifié dans une disposition de niveau de transistor. La première coupure de diffusion est remplacée par une première grille flottante, et une première cellule de remplissage ayant une première région de diffusion de remplissage est ajoutée afin d'étendre une longueur de diffusion du premier nœud de diffusion. L'augmentation de la longueur de diffusion permet d'améliorer l'intensité d'attaque et les performances du premier transistor.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)