Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2017222745) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AYANT UNE PRISE DE TRANCHÉE À DIFFUSION LATÉRALE

Pub. No.:    WO/2017/222745    International Application No.:    PCT/US2017/034644
Publication Date: Fri Dec 29 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Sat May 27 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/768
H01L 23/532
H01L 27/02
Applicants: LITTELFUSE, INC.
Inventors: SHEN, Ader
CHANG, Ting-Fung
LU, James
Title: DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AYANT UNE PRISE DE TRANCHÉE À DIFFUSION LATÉRALE
Abstract:
Une structure de dispositif à semi-conducteur peut comprendre un substrat ayant une base de substrat comprenant un premier type de dopant; une couche semi-conductrice disposée sur une surface de la base de substrat, la couche semi-conductrice comprenant un second type de dopant et ayant une surface supérieure; et un assemblage prise semi-conductrice comprenant une prise semi-conductrice disposée à l'intérieur de la couche semi-conductrice, la prise semi-conductrice s'étendant à partir d'une surface supérieure de la couche semi-conductrice et ayant une profondeur au moins égale à une épaisseur de la couche semi-conductrice, la prise semi-conducteur ayant une première limite, la première limite étant formée à l'intérieur de la couche semi-conductrice, et ayant une seconde limite, la seconde limite étant formée à l'intérieur de la couche semi-conductrice et disposée à l'opposé de la première limite, la première limite et la seconde limite s'étendant perpendiculairement à la surface de la base de substrat.