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1. (WO2017222605) COUCHE DE SILICIUM AMORPHE DANS UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE RÉDUISANT L'INTERFÉRENCE ENTRE LIGNES DE MOTS VOISINES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/222605 N° de la demande internationale : PCT/US2017/018759
Date de publication : 28.12.2017 Date de dépôt international : 21.02.2017
CIB :
H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 29/788 (2006.01) ,H01L 29/792 (2006.01) ,H01L 27/11548 (2017.01) ,H01L 27/11563 (2017.01) ,H01L 27/11556 (2017.01) ,H01L 27/11582 (2017.01)
Déposants : SANDISK TECHNOLOGIES LLC[US/US]; 6900 Dallas Parkway, Suite 325 Plano, Texas 75024, US
Inventeurs : PANG, Liang; US
PACHAMUTHU, Jayavel; US
DONG, Yingda; US
Mandataire : MAGEN, Burt; US
Données relatives à la priorité :
15/190,57423.06.2016US
Titre (EN) AMORPHOUS SILICON LAYER IN MEMORY DEVICE WHICH REDUCES NEIGHBORING WORD LINE INTERFERENCE
(FR) COUCHE DE SILICIUM AMORPHE DANS UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE RÉDUISANT L'INTERFÉRENCE ENTRE LIGNES DE MOTS VOISINES
Abrégé : front page image
(EN) Techniques for fabricating a memory device which has reduced neighboring word line interference, and a corresponding memory device. The memory device comprises a stack of alternating conductive and dielectric layers, where the conductive layers form word lines or control gates of memory cells. In one aspect, rounding off of the control gate layers due to inadvertent oxidation during fabrication is avoided. An amorphous silicon layer is deposited along the sidewall of the memory holes, adjacent to the control gate layers. Si3N4 is deposited along the amorphous silicon layer and oxidized in the memory hole to form SiO2. The amorphous silicon layer acts as an oxidation barrier for the sacrificial material of the control gate layers. The amorphous silicon layer is subsequently oxidized to also form SiO2. The two SiO2 layers together form a blocking oxide layer.
(FR) L'invention concerne des techniques de réalisation d'un dispositif de mémoire présentant une interférence réduite entre lignes de mots voisines, et un dispositif de mémoire correspondant. Le dispositif de mémoire comporte un empilement de couches conductrices et diélectriques alternées, où les couches conductrices forment des lignes de mots ou des grilles de commande de cellules de mémoire. Dans un aspect, l'arrondi des couches de grilles de commande dû à une oxydation involontaire en cours de fabrication est évité. Une couche de silicium amorphe est déposée le long de la paroi latérale des trous de mémoire, adjacente aux couches de grilles de commande. Du Si3N4 est déposé le long de la couche de silicium amorphe et oxydé dans le trou de mémoire pour former du SiO2. La couche de silicium amorphe agit comme une barrière à l'oxydation pour le matériau sacrificiel des couches de grilles de commande. La couche de silicium amorphe est ensuite oxydée pour former également du SiO2. Les deux couches de SiO2 forment ensemble une couche d'oxyde de blocage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)