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1. (WO2017221815) SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE, SUBSTRAT D'OBTURATEUR OPTIQUE, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE
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N° de publication :    WO/2017/221815    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/022245
Date de publication : 28.12.2017 Date de dépôt international : 16.06.2017
CIB :
G09F 9/30 (2006.01), G02B 26/02 (2006.01), G09F 9/00 (2006.01), G09F 9/37 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/283 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventeurs : OKABE, Tohru; (--).
NISHIKI, Hirohiko; (--).
YANEDA, Takeshi; (--)
Mandataire : HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-124791 23.06.2016 JP
Titre (EN) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, OPTICAL SHUTTER SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE, SUBSTRAT D'OBTURATEUR OPTIQUE, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE
(JA) アクティブマトリクス基板、光シャッタ基板、表示装置、アクティブマトリクス基板の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an active matrix substrate which is not susceptible to the occurrence of a contact failure between two conductor films. An oxide semiconductor film (7c), which has been processed to be a conductor, is provided in a layer between a substrate (1) and a first metal film (9). The oxide semiconductor film (7c), which has been processed to be a conductor, and a second metal film (12) are in contact with each other within a contact hole (CH); and the oxide semiconductor film (7c), which has been processed to be a conductor, and the first metal film (9) are in contact with each other outside the contact hole (CH).
(FR)L'invention concerne un substrat de matrice active qui n'est pas sensible à l'apparition d'une défaillance de contact entre deux films conducteurs. Un film semi-conducteur d'oxyde (7c), qui a été traité pour être un conducteur, est disposé dans une couche entre un substrat (1) et un premier film métallique (9). Le film semi-conducteur d'oxyde (7c), qui a été traité comme pour être un conducteur, et un second film métallique (12) sont en contact l'un avec l'autre à l'intérieur d'un trou de contact (CH) ; et le film semi-conducteur d'oxyde (7c), qui a été traité comme pour être un conducteur, et le premier film métallique (9) sont en contact l'un avec l'autre à l'extérieur du trou de contact (CH).
(JA)2つの導体膜間のコンタクト不良が生じにくいアクティブマトリクス基板を提供する。基板(1)と第1金属膜(9)との間の層に、導体化された酸化物半導体膜(7c)が設けられ、コンタクトホール(CH)の内部で、導体化された酸化物半導体膜(7c)と第2金属膜(12)とが接触し、コンタクトホール(CH)の外部で、導体化された酸化物半導体膜(7c)と第1金属膜(9)とが接触している。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)