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1. (WO2017221807) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE PIÈCE
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N° de publication : WO/2017/221807 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/022155
Date de publication : 28.12.2017 Date de dépôt international : 15.06.2017
CIB :
H01L 21/316 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED[JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
Inventeurs : OUCHI Kenji; JP
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; JP
KUROKI Yoshiki; JP
KASHIOKA Junji; JP
Données relatives à la priorité :
2016-12182020.06.2016JP
Titre (EN) METHOD FOR TREATING WORKPIECE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE PIÈCE
(JA) 被処理体を処理する方法
Abrégé : front page image
(EN) One embodiment, which keeps a process from becoming too complicated and makes it possible to selectively perform pattern film formation, provides a method MT for treating a wafer W. The wafer W includes a metal part 61, an insulating part 62, and a main surface 6. The surface 61a of the metal part 61 and the surface 62a of the insulating part 62 are exposed on the main surface 6 side. The method MT comprises a step S1 for confining the wafer W to the inside of a treatment chamber 4 of a plasma treatment device 10; a step S2 for starting a supply of O2 gas to the inside of the treatment chamber 4; and a step S3 for supplying SiF4 gas and plasma-generating high-frequency power to the inside of the treatment chamber 4 to generate plasma inside the treatment chamber 4 from the SiF4 and other gas inside the treatment chamber 4. The plasma generated during step S3 contains a deposition species and an etching species. The etching species occupies a greater proportion of the plasma generated during step S3 than the deposition species.
(FR) Un mode de réalisation, qui empêche un processus de devenir trop complexe et permet d'effectuer sélectivement la formation d'un film à motifs, concerne un procédé MT de traitement d'une tranche W. La tranche W comprend une partie métallique 61, une partie isolante 62 et une surface principale 6. La surface 61a de la partie métallique 61 et la surface 62a de la partie isolante 62 sont exposées sur le côté de la surface principale 6. Le procédé MT comprend une étape S1 consistant à confiner la tranche W à l'intérieur d'une chambre de traitement 4 d'un dispositif de traitement au plasma 10 ; une étape S2 consistant à commencer une alimentation en O2 gazeux à l'intérieur de la chambre de traitement 4 ; et une étape S3 consistant à fournir du SiF4 gazeux et de l'énergie haute fréquence générant du plasma à l'intérieur de la chambre de traitement 4 en vue de générer du plasma à l'intérieur de la chambre de traitement 4 à partir du SiF4 et d'un autre gaz à l'intérieur de la chambre de traitement 4. Le plasma généré pendant l'étape S3 contient une espèce de dépôt et une espèce de gravure. L'espèce de gravure occupe une proportion plus importante du plasma généré pendant l'étape S3 que l'espèce de dépôt.
(JA) プロセスの複雑化を抑制しつつ選択的なパターン成膜が行える技術を提供する一実施形態において、ウエハWを処理する方法MTが提供され、ウエハWは金属部61、絶縁部62、主面6を含み、主面6の側において金属部61の表面61aと絶縁部62の表面62aとが露出されており、方法MTは、プラズマ処理装置10の処理室4内にウエハWを収容する工程S1と、処理室4内にOガスの供給を開始する工程S2と、SiFガスとプラズマ生成用高周波電力とを処理室4内に供給してSiFガスを含む処理室4内のガスによるプラズマを処理室4内で生成する工程S3とを備え、工程S3で生成されるプラズマはデポジション種とエッチング種とを含有し、工程S3で生成されるプラズマにおいてエッチング種が占める割合はデポジション種が占める割合よりも多い。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)