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1. (WO2017221730) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
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N° de publication :    WO/2017/221730    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/021308
Date de publication : 28.12.2017 Date de dépôt international : 08.06.2017
CIB :
H01L 25/07 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventeurs : BESSHI, Noriyuki; (JP).
MITSUI, Takao; (JP).
TARUYA, Masaaki; (JP)
Mandataire : SAMEJIMA, Mutsumi; (JP).
YAMADA, Takuji; (JP).
NAKANO, Haruo; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-125308 24.06.2016 JP
Titre (EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
(JA) 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor module for a power semiconductor device according to the present invention is provided with: a substrate; a semiconductor element having a back surface which is bonded to the substrate and a front surface which is provided with a main electrode; and a plate-like main terminal having an electrode-side bonding part which is electrically connected to the main electrode by being bonded to the front surface of the semiconductor element with a conductive bonding layer being interposed therebetween. The electrode-side bonding part of the first main terminal has a projection part and a through hole, which extend in the thickness direction thereof and face the front surface of the semiconductor element.
(FR)La présente invention concerne un module semi-conducteur destiné à un dispositif semi-conducteur de puissance, qui comporte : un substrat ; un élément semi-conducteur présentant une surface arrière qui est liée au substrat et une surface avant qui est pourvue d'une électrode principale ; et une borne principale de type plaque comportant une partie de liaison côté électrode électriquement connectée à l'électrode principale en étant liée à la surface avant de l'élément semi-conducteur au moyen d'une couche de liaison conductrice interposée entre ces dernières. La partie de liaison côté électrode de la première borne principale comporte une partie saillante et un trou traversant qui s'étendent dans le sens de l'épaisseur correspondante, et qui font face à la surface avant de l'élément semi-conducteur.
(JA)電力用半導体装置の半導体モジュールは、基板と、基板に接合された裏面と、主電極が設けられた表面と、を有する半導体素子と、導電性接合層を介して半導体素子の表面に接合されて主電極に電気的に接続された電極側接合部を有する板状の主端子と、を備えている。第1主端子の電極側接合部は、その厚さ方向に沿って延び且つ半導体素子の表面に対向して設けられた、突起部および貫通孔を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)