Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2017221586) COMPOSÉ DE VANADIUM, MATÉRIAU DE DÉPART POUR LA FORMATION DE COUCHES MINCES, ET PROCÉDÉS DE PRODUCTION DE COUCHES MINCES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/221586 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/018235
Date de publication : 28.12.2017 Date de dépôt international : 15.05.2017
CIB :
C07C 251/08 (2006.01) ,C07F 9/00 (2006.01) ,C23C 16/18 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
C
COMPOSÉS ACYCLIQUES OU CARBOCYCLIQUES
251
Composés contenant des atomes d'azote, liés par des liaisons doubles à un squelette carboné
02
contenant des groupes imino
04
ayant des atomes de carbone de groupes imino liés à des atomes d'hydrogène ou à des atomes de carbone acycliques
06
à des atomes de carbone d'un squelette carboné saturé
08
étant acyclique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
F
COMPOSÉS ACYCLIQUES, CARBOCYCLIQUES OU HÉTÉROCYCLIQUES CONTENANT DES ÉLÉMENTS AUTRES QUE LE CARBONE, L'HYDROGÈNE, LES HALOGÈNES, L'OXYGÈNE, L'AZOTE, LE SOUFRE, LE SÉLÉNIUM OU LE TELLURE
9
Composés contenant des éléments du 5ème groupe de la classification périodique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
06
caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
18
à partir de composés organométalliques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283
Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
285
à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
Déposants :
株式会社ADEKA ADEKA CORPORATION [JP/JP]; 東京都荒川区東尾久七丁目2番35号 2-35, Higashiogu 7-chome, Arakawa-ku, Tokyo 1168554, JP
Inventeurs :
岡部 誠 OKABE, Makoto; JP
西田 章浩 NISHIDA, Akihiro; JP
吉野 智晴 YOSHINO, Tomoharu; JP
Mandataire :
曾我 道治 SOGA, Michiharu; JP
梶並 順 KAJINAMI, Jun; JP
大宅 一宏 OHYA, Kazuhiro; JP
Données relatives à la priorité :
2016-12339822.06.2016JP
Titre (EN) VANADIUM COMPOUND, STARTING MATERIAL FOR THIN FILM FORMATION, AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM
(FR) COMPOSÉ DE VANADIUM, MATÉRIAU DE DÉPART POUR LA FORMATION DE COUCHES MINCES, ET PROCÉDÉS DE PRODUCTION DE COUCHES MINCES
(JA) バナジウム化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
Abrégé :
(EN) A vanadium compound represented by general formula (1). In general formula (1), R1 represents a linear or branched alkyl group having 1-7 carbon atoms, and preferably represents a secondary alkyl group or a tertiary alkyl group; and n represents a number of 2-4. Vanadium compounds represented by general formula (1) wherein n is 2 and R1 is a tertiary butyl group or a tertiary pentyl group are preferable since these compounds have a wide ALD window and a high thermal decomposition temperature and are capable of forming a vanadium-containing thin film having less carbon residue and good quality if used as an ALD material.
(FR) Un composé de vanadium représenté par la formule générale (1). Dans la formule générale (1), R1 représente un groupe alkyle linéaire ou ramifié ayant de 1-7 atomes de carbone, et représente de préférence un groupe alkyle secondaire ou un groupe alkyle tertiaire; et n représente un nombre de 2-4. Les composés de Vanadium représentés par la formule générale (1) où n vaut 2 et R1 est un groupe butyle tertiaire ou un groupe pentyle tertiaire et sont préférés puisque ces composés ont une large fenêtre ALD et une température élevée de décomposition thermique et sont capables de former une couche mince contenant du vanadium ayant moins de résidus de carbone et une bonne qualité s'ils sont utilisés comme un matériau ALD.
(JA) 下記一般式(1)で表されるバナジウム化合物。 一般式(1)において、R1は炭素原子数1~7の直鎖又は分岐状のアルキル基、好ましくは2級アルキル基又は3級アルキル基を表し、nは2~4の数を表す。一般式(1)において、nが2であり、R1が第三ブチル基又は第三ペンチル基であるものは、ALDウインドウが広く、熱分解温度が高く、ALD材料として使用した場合に炭素残渣が少なく品質の良好なバナジウム含有薄膜を形成することができることから好ましい。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)