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1. (WO2017221532) TRANSISTOR FET À HÉTÉROJONCTION ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2017/221532    International Application No.:    PCT/JP2017/015420
Publication Date: Fri Dec 29 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Tue Apr 18 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/338
H01L 29/778
H01L 29/812
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: IMAI Akifumi
今井 章文
NANJO Takuma
南條 拓真
SUITA Muneyoshi
吹田 宗義
MATSUDA Takashi
松田 喬
KURAHASHI Kenichiro
倉橋 健一郎
YAGYU Eiji
柳生 栄治
Title: TRANSISTOR FET À HÉTÉROJONCTION ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L'invention concerne un transistor FET à hétérojonction comprenant : un substrat en semiconducteur à base de nitrure (1) ; et des couches de croissance épitaxiale comprenant une couche tampon (2) qui est formée sur le substrat en semiconducteur à base de nitrure (1), une couche de canal (3) qui est formée sur la couche tampon (2), et une couche d'alimentation en électrons (4) qui est formée sur la couche de canal (3). Une électrode de drain (7), une électrode de source (8) et une électrode de gâchette (9) disposées dans la région entre elles sont formées sur la couche d'alimentation en électrons (4). Une concentration d'impuretés de donneur Nd1 et une concentration d'impuretés d'accepteur Na1, qui se trouvent au niveau de l'interface entre le substrat en semiconducteur à base de nitrure (1) et les couches de croissance épitaxiale, c'est-à-dire l'interface entre le substrat en semiconducteur à base de nitrure (1) et la couche tampon (2), et une concentration d'impuretés de donneur Nd2 et une concentration d'impuretés d'accepteur Na2, qui se trouvent dans les couches de croissance épitaxiale (2, 3, 4), satisfont aux relations suivantes : 1,6×1019cm-3 ≥ Na1-Nd1 ≥ 0, Nd1/10 ≥ Nd2 et Na1/10 ≥ Na2.