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1. (WO2017221292) CIRCUIT D'ATTAQUE PARALLÈLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/221292 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/068237
Date de publication : 28.12.2017 Date de dépôt international : 20.06.2016
CIB :
H03K 17/12 (2006.01) ,H03K 17/687 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
12
Modifications pour augmenter le courant commuté maximal admissible
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51
caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
56
par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
687
les dispositifs étant des transistors à effet de champ
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs : NISHIO, Naoki; JP
Mandataire : TAKAMURA, Jun; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PARALLEL DRIVE CIRCUIT
(FR) CIRCUIT D'ATTAQUE PARALLÈLE
(JA) 並列駆動回路
Abrégé :
(EN) A parallel drive circuit (50) has a first semiconductor switch element (1) and a second semiconductor switch element (2). A first drain terminal (1b) of the first semiconductor switch element (1) is connected in parallel to a second drain terminal (2b) of the second semiconductor switch element (2), and a first source terminal (1c) of the first semiconductor switch element (1) is connected in parallel to a second source terminal (2c) of the second semiconductor switch element (2). A first on-resistance, i.e., a resistance of the first semiconductor switch element (1) in the on-state, increases when the temperature of the first semiconductor switch element (1) increases, and a second on-resistance, i.e., a resistance of the second semiconductor switch element (2) in the on-state, increases when the temperature of the second semiconductor switch element (2) increases.
(FR) L'invention porte sur un circuit d'attaque parallèle (50) qui comporte un premier élément de commutation à semi-conducteur (1) et un second élément de commutation à semi-conducteur (2). Une première borne de drain (1b) du premier élément de commutation à semi-conducteur (1) est connectée en parallèle à une seconde borne de drain (2b) du second élément de commutation à semi-conducteur (2), et une première borne de source (1c) du premier élément de commutation à semi-conducteur (1) est connectée en parallèle à une seconde borne de source (2c) du second élément de commutation à semi-conducteur (2). Une première résistance à l'état passant, c'est-à-dire la résistance du premier élément de commutation à semi-conducteur (1) dans l'état passant, augmente quand la température du premier élément de commutation à semi-conducteur (1) augmente, et une seconde résistance à l'état passant, c'est-à-dire la résistance du second élément de commutation à semi-conducteur (2) dans l'état passant, augmente quand la température du second élément de commutation à semi-conducteurs (2) augmente.
(JA) 並列駆動回路(50)は、第1半導体スイッチ素子(1)と第2半導体スイッチ素子(2)とを有する。第1半導体スイッチ素子(1)の第1ドレイン端子(1b)は第2半導体スイッチ素子(2)の第2ドレイン端子(2b)と並列に接続されており、第1半導体スイッチ素子(1)の第1ソース端子(1c)は第2半導体スイッチ素子(2)の第2ソース端子(2c)と並列に接続されている。第1半導体スイッチ素子(1)のオン状態の抵抗である第1オン抵抗は、第1半導体スイッチ素子(1)の温度が上昇すると上昇し、第2半導体スイッチ素子(2)のオン状態の抵抗である第2オン抵抗は、第2半導体スイッチ素子(2)の温度が上昇すると上昇する。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)