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1. (WO2017220955) SOUS-ENSEMBLE DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication :    WO/2017/220955    N° de la demande internationale :    PCT/GB2017/050169
Date de publication : 28.12.2017 Date de dépôt international : 23.01.2017
CIB :
H01L 25/11 (2006.01)
Déposants : DYNEX SEMICONDUCTOR LIMITED [GB/GB]; Doddington Road Lincoln Lincolnshire LN6 3LF (GB).
ZHUZHOU CRRC TIMES ELECTRIC CO. LTD. [CN/CN]; Shidai Road Shifeng District Zhuzhou, Hunan 412001 (CN)
Inventeurs : SIMPSON, Robin Adam; (GB)
Mandataire : MARKS & CLERK LLP; 62-68 Hills Road Cambridge Cambridgeshire CB2 1LA (GB)
Données relatives à la priorité :
PCT/GB2016/051842 20.06.2016 GB
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE SUB-ASSEMBLY
(FR) SOUS-ENSEMBLE DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)We disclose herein a semiconductor device sub-assembly comprising: a plurality of semiconductor units laterally spaced to one another; a plurality of conductive blocks, wherein each conductive block is operatively coupled with each semiconductor unit; a conductive malleable layer operatively coupled with each conductive block, wherein the plurality of conductive blocks are located between the conductive malleable layer and the plurality of semiconductor units. In use, at least some of the plurality of conductive blocks are configured to apply a pressure on the conductive malleable layer, when a predetermined pressure is applied to the semiconductor device sub-assembly.
(FR)L'invention concerne un sous-ensemble de dispositif à semi-conducteur comprenant : une pluralité d'unités à semi-conducteur espacées latéralement les unes par rapport aux autres; une pluralité de blocs conducteurs, chaque bloc conducteur étant couplé fonctionnellement à chaque unité à semi-conducteur; une couche conductrice malléable couplée fonctionnellement à chaque bloc conducteur, la pluralité de blocs conducteurs étant situés entre la couche conductrice malléable et la pluralité d'unités à semi-conducteur. Lors de l'utilisation, au moins certains blocs de la pluralité de blocs conducteurs sont conçus pour appliquer une pression sur la couche malléable conductrice, lorsqu'une pression prédéterminée est appliquée au sous-ensemble de dispositif à semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)