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1. (WO2017220444) PROCÉDÉ D'INTERCONNEXION DE CELLULES SOLAIRES
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N° de publication : WO/2017/220444 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/064799
Date de publication : 28.12.2017 Date de dépôt international : 16.06.2017
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/05 (2014.01) ,H01L 31/068 (2012.01)
Déposants : FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V.[DE/DE]; Hansastraße 27c 80686 Munich, DE
Inventeurs : NAGEL, Henning; DE
BARTSCH, Jonas; DE
KAMP, Mathias; DE
GLATTHAAR, Markus; DE
Mandataire : MAIWALD PATENTANWALTS- UND RECHTSANWALTSGESELLSCHAFT MBH; HAGGENMÜLLER, Christian Elisenhof / Elisenstr. 3 80335 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2016 210 908.119.06.2016DE
Titre (EN) METHOD FOR INTERCONNECTING SOLAR CELLS
(FR) PROCÉDÉ D'INTERCONNEXION DE CELLULES SOLAIRES
(DE) VERFAHREN ZUR VERSCHALTUNG VON SOLARZELLEN
Abrégé : front page image
(EN) The present invention relates to a method for interconnecting solar cells, wherein (a) aluminium or an aluminium alloy is deposited by means of physical gas-phase deposition onto the rear side of a semiconductor component of a first solar cell so as to form an aluminium rear contact, (b) the aluminium rear contact is treated with an alkali, aqueous medium which contains Zn2+, so that metallic zinc is deposited on the aluminium rear contact so as to form a zinc-coated aluminium rear contact, (c) the zinc-coated aluminium rear contact is connected by a metallic connector to a metal contact of a second solar cell, wherein the metallic connector is fastened on the zinc-coated aluminium rear contact by soldering or adhesive bonding.
(FR) La présente invention concerne un procédé d'interconnexion de cellules solaires. Selon l'invention : (a) de l'aluminium ou un alliage d'aluminium est déposé par dépôt physique en phase vapeur sur le côté arrière d'un composant semi-conducteur d'une première cellule solaire pour former un contact arrière d'aluminium; (b) le contact arrière d'aluminium est traité avec une substance aqueuse alcaline qui contient Zn2+ de sorte que du zinc métallique se dépose sur le contact arrière d'aluminium pour former un contact arrière d'aluminium revêtu de zinc; (c) le contact arrière d'aluminium revêtu de zinc est relié par un élément de liaison métallique à un contact métallique d'une deuxième cellule solaire, l'élément de liaison métallique étant fixé sur le contact arrière d'aluminium revêtu de zinc par soudage ou collage.
(DE) Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verschaltung von Solarzellen, wobei (a) Aluminium oder eine Aluminiumlegierung über eine physikalische Gasphasenabscheidung auf der Rückseiteeines Halbleiterbauelementseiner ersten Solarzelle unter Ausbildung eines Aluminium-Rückkontakts abgeschieden wird, (b) der Aluminium-Rückkontakt mit einem alkalischen, wässrigen Medium, das Zn2+ enthält, behandelt wird, so dass sich auf dem Aluminium-Rückkontakt metallisches Zink unter Ausbildungeines Zink-beschichteten Aluminium- Rückkontakts abscheidet, (c) der Zink-beschichtete Aluminium-Rückkontakt durch einen metallischen Verbinder mit einem Metallkontakt einer zweiten Solarzelle verbunden wird, wobei der metallische Verbinder auf dem Zink-beschichteten Aluminium- Rückkontakt durch Löten oder Kleben befestigt wird.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)