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1. (WO2017220217) PROCÉDÉ DE COMMANDE ET DISPOSITIF DE COMMUTATION D’UN COURANT DE PHASE DANS UNE BRANCHE DE PONT D’UN CIRCUIT EN PONT
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N° de publication :    WO/2017/220217    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/054460
Date de publication : 28.12.2017 Date de dépôt international : 27.02.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.04.2018    
CIB :
H03K 17/04 (2006.01), H03K 17/042 (2006.01), H03K 17/74 (2006.01), H03K 17/567 (2006.01), H02M 1/08 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Werner-von-Siemens-Straße 1 80333 München (DE)
Inventeurs : WEIS, Benno; (DE)
Données relatives à la priorité :
16176211.7 24.06.2016 EP
Titre (DE) ANSTEUERVERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR KOMMUTIERUNG EINES PHASENSTROMS IM BRÜCKENZWEIG EINER BRÜCKENSCHALTUNG
(EN) DRIVE METHOD AND DEVICE FOR COMMUTATING A PHASE CURRENT IN THE BRIDGE BRANCH OF A BRIDGE CIRCUIT
(FR) PROCÉDÉ DE COMMANDE ET DISPOSITIF DE COMMUTATION D’UN COURANT DE PHASE DANS UNE BRANCHE DE PONT D’UN CIRCUIT EN PONT
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Ansteuerverfahren für einen ersten Leistungshalbleiterchip (1, 12) mit einem ersten schaltbaren Leistungshalbleiter (T1, T) und einer ersten Freilaufdiode (D1, D) und für einen zweiten Leistungshalbleiterchip (1, 13) mit einem zweiten schaltbaren Leistungshalbleiter (T2, T) und einer zweiten Freilaufdiode (D2, D) in einem Brückenzweig (2) einer Brückenschaltung (3) zur Kommutierung eines Phasenstroms (IAC), wobei bis zu einem ersten Zeitpunkt (t1) an einem ersten Gate (G1, G) des ersten schaltbaren Leistungshalbleiters (T1, T) ein erstes negatives Ansteuerpotential (AP1-) anliegt und die erste Freilaufdiode (D1, D) einen ersten Diodenstrom (ID1) als Phasenstroms (IAC) führt, wobei ab dem ersten Zeitpunkt (t1) der erste schaltbare Leistungshalbleiter (T1, T) mittels eines ersten positiven Ansteuerpotentials (AP1+) eingeschaltet wird, wobei zu einem zweiten Zeitpunkt (t2) der zweite schaltbare Leistungshalbleiter (T2, T), mittels eines an seinem zweiten Gate (G2, G) durchgeführten Potentialwechsels von einem dritten negativen Ansteuerpotential (AP3-) auf ein zweites positives Ansteuerpotential (AP2+), neingeschaltet wird, wobei daraufhin eine Auswertung des ersten Diodenstroms (ID1) erfolgt, und wobei bei Vorliegen einer Stromreduzierung (RE) zu einem dritten Zeitpunkt (t3) der erste schaltbare Leistungshalbleiter (T1, T) mittels eines zweiten negativen Ansteuerpotentials (AP2-) abgeschaltet wird. Weiterhin betrifft die Erfindung eine Vorrichtung (24) zur Durchführung des Ansteuerverfahrens sowie einen Umrichter (15) mit der Vorrichtung.
(EN)The invention relates to a drive method for a first power semiconductor chip (1, 12) comprising a first switchable power semiconductor (T1, T) and a first freewheeling diode (D1, D) and for a second power semiconductor chip (1, 13) comprising a second switchable power semiconductor (T2, T) and a second freewheeling diode (D2, D) in a bridge branch (2) of a bridge circuit (3) for commutating a phase current (IAC), wherein until a first point in time (t1) a first negative drive potential (AP1-) is present at a first gate (G1, G) of the first switchable power semiconductor (T1, T) and the first freewheeling diode (D1, D) carries a first diode current (ID1) as phase current (IAC), wherein starting from the first point in time (t1) the first switchable power semiconductor (T1, T) is switched on by means of a first positive drive potential (AP1+), wherein at a second point in time (t2) the second switchable power semiconductor (T2, T) is switched on by means of a change in potential from a third negative drive potential (AP3-) to a second positive drive potential (AP2+), said change in potential being carried out at the second gate (G2, G) of said second switchable power semiconductor, wherein the first diode current (ID1) is thereupon evaluated, and wherein if a current reduction (RE) is present, at a third point in time (t3) the first switchable power semiconductor (T1, T) is switched off by means of a second negative drive potential (AP2-). Furthermore, the invention relates to a device (24) for carrying out the drive method and to a converter (15) comprising the device.
(FR)L'invention concerne un procédé de commande pour une première puce semi-conductrice de puissance (1, 12) ayant un premier semi-conducteur de puissance commutable (T1, T) et une première diode de roue libre (D1, D) et pour une seconde puce semi-conductrice (1, 13) ayant un second semi-conducteur de puissance commutable (T2, T) et une seconde diode de roue libre (D2, D) dans une branche de pont (2) d’un circuit en pont (3) pour la commutation d’un courant de phase (IAC). Jusqu’à un premier instant (t1), un premier potentiel de commande négatif (AP1-) est présent sur une première grille (G1, G) du premier semi-conducteur de puissance commutable (T1, T) et la première diode de roule libre (D1, D) laisse passer un premier courant de diode (ID1) en tant que courant de phase (IAC). À partir du premier instant (t1), le premier semi-conducteur de puissance commutable (T1, T) est activé au moyen d’un premier potentiel de commande positif (AP1+). À un deuxième instant (t2), le second semi-conducteur de puissance commutable (T2, T) est activé au moyen d’un changement de potentiel, réalisé sur sa seconde grille (G2, G), d’un troisième potentiel de commande négatif (AP3-) à un second potentiel de commande positif (AP2+), à la suite de quoi a lieu une évaluation du premier courant de diode (ID1) et, en présence d’une réduction de courant (RE) à un troisième instant (t3), le premier semi-conducteur de puissance commutable (T1, T) est désactivé au moyen d’un deuxième potentiel de commande négatif (AP2-). L'invention concerne en outre un dispositif (24) pour exécuter le procédé de commande ainsi qu’un convertisseur (15) pourvu du dispositif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)