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1. (WO2017220026) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication :    WO/2017/220026    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/089811
Date de publication : 28.12.2017 Date de dépôt international : 23.06.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.04.2018    
CIB :
H01L 33/48 (2010.01)
Déposants : EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD. [CN/CN]; No. 6-8, Zhonghua Road, Shulin District New Taipei, Taiwan 23860 (CN)
Inventeurs : YU, Pyng; (CN).
LEE, Wei-Ting; (CN).
CHEN, Kuo-Yang; (CN).
LEE, Shen-Chu; (CN).
PAN, Ke-Hao; (CN).
LIN, Chih-Min; (CN).
LU, Tsung-Lin; (CN).
LAI, Jen-Hsiung; (CN).
YU, Wei-Tyng; (CN)
Mandataire : SHANGHAI PATENT & TRADEMARK LAW OFFICE, LLC; 435 Guiping Road Shanghai 200233 (CN)
Données relatives à la priorité :
62/353,564 23.06.2016 US
62/375,439 16.08.2016 US
Titre (EN) LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 发光二极管及其制作方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a light emitting diode (100a), comprising a carrier plate (110a), a chip (130a) and a packaging material (140a). The carrier plate (110a) comprises a conductive region (112a) and an insulating region (114a). The conductive region (112a) is provided with an upper surface (S1) and a lower surface (S2). The insulating region (114a) covers a portion of the conductive region (112a). The conductive region (112a) comprises at least one first contact region (SP) which is a region located on the lower surface (S2) of the conductive region (112a) and not covered by the insulating region (114a). A first distance (P1) is provided between adjacent first contact regions (CP). The conductive region (112a) also comprises at least one second contact region (SP) which is a region located on the upper surface (S1) of the conductive region (112a) and not covered by the insulating region (114a). A second distance (P2) is provided between adjacent second contact regions (CP), wherein the first distance (P1) is greater than the second distance (P2). The chip (130a) is electrically connected to the carrier plate (110a) through a chip electrode (120a). The packaging material (140a) at least covers a top surface (132a), which is relatively far away from the carrier plate (110a), of the chip (130a).
(FR)La présente invention concerne une diode électroluminescente (100a), comprenant une plaque de support (110a), une puce (130a) et un matériau de conditionnement (140a). La plaque de support (110a) comprend une région conductrice (112a) et une région isolante (114a). La région conductrice (112a) est pourvue d'une surface supérieure (S1) et d'une surface inférieure (S2). La région isolante (114a) recouvre une partie de la région conductrice (112a). La région conductrice (112a) comprend au moins une première région de contact (SP) qui est une région située sur la surface inférieure (S2) de la région conductrice (112a) et non recouverte par la région isolante (114a). Une première distance (P1) est ménagée entre des premières régions de contact adjacentes (CP). La région conductrice (112a) comprend également au moins une seconde région de contact (SP) qui est une région située sur la surface supérieure (S1) de la région conductrice (112a) et non recouverte par la région isolante (114a). Une seconde distance (P2) est ménagée entre des secondes régions de contact adjacentes (CP), la première distance (P1) étant supérieure à la seconde distance (P2). La puce (130a) est raccordée électriquement à la plaque de support (110a) par le biais d'une électrode à puce (120a). Le matériau de conditionnement (140a) recouvre au moins une surface supérieure (132a), qui est relativement éloignée de la plaque de support (110a), de la puce (130a).
(ZH)提供一种发光二极管(100a),包括一载板(110a)、一芯片(130a)以及一封装材料(140a)。载板(110a)包括一导电区(112a)以及一绝缘区(114a)。导电区(112a)具有一上表面(S1)与一下表面(S2)。绝缘区(114a)覆盖一部分导电区(112a)。导电区(112a)包括至少一第一接触区(SP),位于导电区(112a)的下表面(S2)未被绝缘区(114a)覆盖的区域。相邻的第一接触区(SP)之间具有一第一间距(P1)。导电区(112a)亦包括至少一第二接触区(CP),位于导电区(112a)的上表面(S1)未被绝缘区(114a)覆盖的区域。相邻的第二接触区(CP)之间具有一第二间距(P2),其中该第一间距(P1)大于该第二间距(P2)。芯片(130a)通过芯片电极(120a)与载板(110a)电性相接。封装材料(140a)至少覆盖芯片(130a)的相对远离载板(110a)的一顶面(132a)。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)