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1. (WO2017219968) TRANSISTOR BIPOLAIRE LATÉRAL À GRILLE ISOLÉE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2017/219968    International Application No.:    PCT/CN2017/089279
Publication Date: Fri Dec 29 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Thu Jun 22 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/739
H01L 29/78
H01L 21/331
Applicants: CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD.
无锡华润上华科技有限公司
Inventors: QI, Shukun
祁树坤
Title: TRANSISTOR BIPOLAIRE LATÉRAL À GRILLE ISOLÉE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L'invention concerne un transistor bipolaire latéral à grille isolée et son procédé de fabrication. Le transistor bipolaire à grille isolée latérale (LIGBT), comprend: un substrat (10), une extrémité anode et une extrémité cathode sur le substrat (10), une région de dérive (30) et une grille électrode (62) située entre l'extrémité anode et l'extrémité cathode. La borne d'anode comprend une zone tampon en forme de N (42) sur le substrat (10), un puits P (44) dans la zone tampon en forme de N (42), une zone N + (46) dans le puits P (44), une rainure située au-dessus de la zone N + (46) et partiellement encerclée par le puits P (44), le silicium polycristallin (74) dans la rainure, les jonctions P + (53) sur deux côtés de la rainure, et des jonctions N + (55) sur deux côtés des jonctions P + (53).