WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017219818) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/219818    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/085662
Date de publication : 28.12.2017 Date de dépôt international : 24.05.2017
CIB :
H01L 33/46 (2010.01), H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : XIAMEN SAN'AN OPTOELECTRONICS CO., LTD. [CN/CN]; No.841-899, Min An Road Hongtang Town, Tongan District Xiamen, Fujian 361100 (CN)
Inventeurs : LU, Yi-an; (CN).
MENG, Cheng; (CN).
LI, Ting; (CN).
WU, Chun-Yi; (CN).
WANG, Duxiang; (CN)
Données relatives à la priorité :
201610460045.6 23.06.2016 CN
Titre (EN) LIGHT EMITTING DIODE AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 发光二极管及其制作方法
Abrégé : front page image
(EN)A light emitting diode and a preparation method therefor. The light emitting diode sequentially comprises a conductive substrate (200), a high-reflection mirror surface layer (220), a light emitting epitaxy overlapped layer (230), and an electrode (241, 242). The light emitting epitaxy overlapped layer (230) comprises a first semiconductor layer (231), an active layer (232), and a second semiconductor layer (233). The high-reflection mirror surface layer (220) consists of a light transmission layer (222) and a metal reflection layer (221). Spot-shaped scattering points are disposed in a local region in the light transmission layer (222), and the refractive index of the light transmission layer (222) is smaller than that of the spot-shaped scattering points. By using the spot-shaped scattering reflecting mirror structure, an ultra-high-reflectivity mirror surface system is formed, light in a perpendicular direction can be scattered to other directions, and repeated light reflection and absorption can be avoided.
(FR)Diode électroluminescente et son procédé de préparation. La diode électroluminescente comporte successivement un substrat conducteur (200), une couche (220) de surface de miroir à haut pouvoir réfléchissant, une couche électroluminescente (230) d'épitaxie avec recouvrement, et une électrode (241, 242). La couche électroluminescente (230) d'épitaxie avec recouvrement comporte une première couche semi-conductrice (231), une couche active (232), et une deuxième couche semi-conductrice (233). La couche (220) de surface de miroir à haut pouvoir réfléchissant est constituée d'une couche (222) de transmission de lumière et d'une couche métallique (221) de réflexion. Des points de diffusion en forme de taches sont disposés dans une région locale de la couche (222) de transmission de lumière, et l'indice de réfraction de la couche (222) de transmission de lumière est inférieur à celui des points de diffusion en forme de taches. En utilisant la structure de miroir réfléchissant à diffusion en forme de taches, un système de surface de miroir à ultra haut pouvoir réfléchissant est formé, la lumière dans une direction perpendiculaire peut être diffusée vers d'autres directions, et une réflexion et une absorption répétées de la lumière peuvent être évitées.
(ZH)一种发光二极管及其制作方法,其中发光二极管依次包括:导电基板(200)、高反射镜面层(220)、发光外延叠层(230)和电极(241,242),发光外延叠层(230)包含第一半导体层(231)、有源层(232)和第二半导体层(233),高反射镜面层(220)由透光层(222)和金属反射层(221)构成,透光层(222)内局部区域设有点状散射点,透光层(222)的折射率小于点状散射点的折射率。通过采用点状散射反射镜结构,形成超高反射率镜面系统,可使垂直方向的光散射至其他方向,避免重复反射吸光。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)