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1. (WO2017219771) RÉSEAU DE MICROÉLECTRODES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/219771    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/083627
Date de publication : 28.12.2017 Date de dépôt international : 09.05.2017
CIB :
G01N 27/30 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN INSTITUTES OF ADVANCED TECHNOLOGY [CN/CN]; 1068, Xueyuan Avenue, Xili University Town, Nanshan Shenzhen, Guangdong 518055 (CN)
Inventeurs : XIA, Kai; (CN).
WU, Tianzhun; (CN).
SUN, Bin; (CN).
ZENG, Qi; (CN)
Mandataire : GUANGZHOU SCIHEAD PATENT AGENT CO. , LTD.; Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No. 80, XianLie Zhong Road,Yuexiu Guangzhou, Guangdong 510070 (CN)
Données relatives à la priorité :
201610486521.1 28.06.2016 CN
201610460562.3 23.06.2016 CN
201610858458.X 28.09.2016 CN
201710203187.9 30.03.2017 CN
Titre (EN) MICROELECTRODE ARRAY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) RÉSEAU DE MICROÉLECTRODES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种微电极阵列及其制备方法
Abrégé : front page image
(EN)A microelectrode array and a manufacturing method therefor. A decorative layer is provided on an electrode surface of the microelectrode array, and the decorative layer comprises a platinum nano-pillar decorative layer, a platinum nanowire decorative layer or a dendritic platinum decorative layer. The binding force of the decorative layer and a base of a microelectrode is good, and same will not easily fall off and lead to electrode failure; and the decorated microelectrode has an increased surface area, reduced electrochemical resistance and increased charge injection capacity and charge storage capability of the electrode, this facilitating reducing the power consumption of an embedded system and improving the effect of electric stimulation.
(FR)La présente invention concerne un réseau de microélectrodes et son procédé de fabrication. Une couche décorative est disposée sur une surface d'électrode du réseau de microélectrodes, et la couche décorative comprend une couche décorative de nanopiliers de platine, une couche décorative de nanofils de platine ou une couche décorative de platine dendritique. La force de liaison de la couche décorative et d'une base d'une microélectrode est satisfaisante, et celle-ci ne se dégrade pas aisément et conduit à un défaut d'électrode; et la microélectrode décorée présente une aire de surface accrue, une résistance électrochimique réduite et une capacité d'injection de charge et une capacité de stockage de charge augmentées de l'électrode, de façon à faciliter la réduction de la consommation d'énergie d'un système incorporé et améliorer l'effet d'une stimulation électrique.
(ZH)一种微电极阵列及其制备方法,所述微电极阵列的电极表面设置有修饰层,所述修饰层包括铂纳米柱修饰层、铂纳米线修饰层或枝晶铂修饰层。该修饰层与微电极基底的结合力较好,不容易脱落导致电极失效,且修饰后的微电极表面积增加,电化学阻抗降低,电极电荷注入容量和电荷存储能力增加,这有利于降低植入的系统功耗,改善电刺激效果。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)