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1. (WO2017219421) SUBSTRAT DE RÉSEAU DE TRANSISTORS Á COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE Á CRISTAL LIQUIDE
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N° de publication :    WO/2017/219421    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/090586
Date de publication : 28.12.2017 Date de dépôt international : 20.07.2016
CIB :
H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/77 (2017.01), G02F 1/1368 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.9-2,Tangming Rd Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventeurs : LV, Xiaowen; (CN)
Mandataire : CHINA WISPRO INTELLECTUAL PROPERTY LLP.; Room A 806 Zhongdi Building, China University of Geosciences Base, No.8 Yuexing 3rd Road High-Tech Industrial Estate, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518057 (CN)
Données relatives à la priorité :
201610457788.8 21.06.2016 CN
Titre (EN) TFT ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE RÉSEAU DE TRANSISTORS Á COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE Á CRISTAL LIQUIDE
(ZH) 一种TFT阵列基板及其制作方法、液晶显示装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a TFT array substrate and a manufacturing method therefor, and a liquid crystal display device. The TFT array substrate comprises a substrate (10) and a TFT provided on the substrate (10); the TFT comprises a semiconductor layer (13) and a source (141) and a drain (142) provided on the semiconductor layer (13), wherein the contact surface between the semiconductor layer (13) and the source (141) and/or the drain (142) is of a concave-convex structure. By the method, the contact resistance between a semiconductor layer and a metal layer can be lowered, so that the electrical property of a TFT device is improved.
(FR)La présente invention porte sur un substrat de réseau de transistor à couches minces et son procédé de fabrication, et un dispositif d'affichage à cristaux liquides. Le substrat de réseau TFT comprend un substrat (10) et un TFT disposé sur le substrat (10); le TFT comprend une couche semi-conductrice (13) et une source (141) et un drain (142) disposée sur la couche semi-conductrice (13), la surface de contact entre la couche semi-conductrice (13) et la source (141) et/ou le drain (142) étant d'une structure concave-convexe. Grâce au procédé, la résistance de contact entre une couche semi-conductrice et une couche métallique peut être réduite, de sorte que la propriété électrique d'un dispositif TFT est améliorée.
(ZH)提供了一种TFT阵列基板及其制作方法、液晶显示装置, TFT阵列基板包括基板(10)以及设置于基板(10)上的TFT;TFT包括半导体层(13)以及设置于半导体层(13)上的源极(141)和漏极(142),其中,半导体层(13)与源极(141)和/或漏极(142)的接触面呈凹凸结构。通过这种方式,能够减小半导体层和金属层之间的接触电阻,提高TFT器件的电学特性。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)