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1. (WO2017219411) SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
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N° de publication :    WO/2017/219411    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/090105
Date de publication : 28.12.2017 Date de dépôt international : 15.07.2016
CIB :
H01L 21/77 (2017.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.9-2,Tangming Rd Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventeurs : DENG, Yong; (CN)
Mandataire : COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; Room 15 E, Shenkan Building, Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028 (CN)
Données relatives à la priorité :
201610459122.6 22.06.2016 CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE AND PREPARATION METHOD THEREOF
(FR) SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 阵列基板及其制作方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are an array substrate and a preparation method thereof. The preparation method comprises: covering a reduced metal layer (6') on an oxide semiconductor layer film (5'); patterning the oxide semiconductor layer film and the reduced metal layer by means of a mask process, and simultaneously forming a source pattern (61'), a drain pattern (62'), a pixel electrode pattern (63'), and an oxide semiconductor layer (5); and reducing the source pattern, the drain pattern, and the pixel electrode pattern to form conductors via laser annealing, and simultaneously forming a source electrode (61), a drain electrode (62), and a pixel electrode (63). The entire preparation process requires at most three passes of the mask process. Compared with the prior art, the preparation method can effectively reduce the number of mask processes, simplify the preparation process, reduce production costs, improve TFT performance, and increase an aperture ratio of the array substrate.
(FR)L'invention concerne un substrat de réseau et son procédé de préparation. Le procédé de préparation consiste à : recouvrir une couche métallique réduite (6') sur un film de couche semi-conductrice d'oxyde (5') ; former des motifs sur le film de couche semi-conductrice d'oxyde et sur la couche métallique réduite au moyen d'un processus de masque, et former simultanément un motif de source (61'), un motif de drain (62'), un motif d'électrode de pixel (63'), et une couche semi-conductrice d'oxyde (5) ; et réduire le motif de source, le motif de drain et le motif d'électrode de pixel pour former des conducteurs par recuit au laser, et former simultanément une électrode de source (61), une électrode de drain (62) et une électrode de pixel (63). L'ensemble du processus de préparation nécessite tout au plus trois passages du processus de masque. Par rapport à l'état de la technique, le procédé de préparation peut réduire efficacement le nombre de processus de masque, simplifier le processus de préparation, réduire les coûts de production, améliorer les performances de transistor à couches minces et augmenter le rapport d'ouverture du substrat de réseau.
(ZH)一种阵列基板及其制作方法,包括在氧化物半导体层薄膜(5')上覆盖还原金属层(6'),通过一道光罩制程图案化氧化物半导体层薄膜和还原金属层,同时形成源极图案(61')、漏极图案(62')、像素电极图案(63')、及氧化物半导体层(5),再利用激光退火将源极图案、漏极图案、与像素电极图案还原成导体,同时形成源极(61)、漏极(62)、与像素电极(63),整个制作过程最多仅需要三次光罩制程,相比现有技术,能够有效减少光罩制程的数量,简化制作工艺,降低生产成本,提升TFT的性能,增大阵列基板的开口率。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)