WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Options
Langue d'interrogation
Stemming/Racinisation
Trier par:
Nombre de réponses par page
Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2017218360) ARCHITECTURE DE CELLULES STANDARD POUR RÉDUCTION DE LA RÉSISTANCE PARASITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/218360 N° de la demande internationale : PCT/US2017/036865
Date de publication : 21.12.2017 Date de dépôt international : 09.06.2017
CIB :
H01L 27/02 (2006.01) ,H01L 23/528 (2006.01) ,H01L 27/118 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
528
Configuration de la structure d'interconnexion
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
118
Circuits intégrés à tranche maîtresse
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED[US/US]; ATTEN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California, US 92121-1714, US
Inventeurs : CHEN, Xiangdong; US
LIM, Hyeokjin Bruce; US
SAHU, Satyanarayana; US
BOYNAPALLI, Venugopal; US
Mandataire : HODGES, Jonas J.; US
GELFOUND, Craig A.; US
HARRIMAN, John D.; US
BINDSEIL, James; US
Données relatives à la priorité :
15/186,32617.06.2016US
Titre (EN) A STANDARD CELL ARCHITECTURE FOR PARASITIC RESISTANCE REDUCTION
(FR) ARCHITECTURE DE CELLULES STANDARD POUR RÉDUCTION DE LA RÉSISTANCE PARASITE
Abrégé :
(EN) A MOS IC (300) includes a first contact interconnect (330) in a first standard cell (302a) that extends in a first direction and contacts a first MOS transistor source (310) and a voltage source (342). Still further, the MOS IC includes a first double diffusion break extending along a first boundary (344) in the first direction of the first standard cell and a second standard cell (302b). The MOS IC also includes a second contact interconnect (360) extending over a portion of the first double diffusion break. In an aspect, the second contact interconnect is within both the first standard cell and the second standard cell and coupled to the voltage source. Additionally, the MOS IC includes a third contact interconnect (362) extending in a second direction orthogonal to the first direction and coupling the first contact interconnect and the second contact interconnect together.
(FR) L'invention concerne un CI (300) à MOS comprenant une première interconnexion (330) de contact dans une première cellule standard (302a) qui s'étend dans une première direction et entre en contact avec une première source (310) de transistor MOS et une source (342) de tension. En outre, le CI à MOS comprend une première rupture double de diffusion s'étendant le long d'une première frontière (344) dans la première direction de la première cellule standard et une deuxième cellule standard (302b). Le CI à MOS comprend également une deuxième interconnexion (360) de contact s'étendant sur une partie de la première rupture double de diffusion. Dans un aspect, la deuxième interconnexion de contact se trouve à la fois à l'intérieur de la première cellule standard et de la deuxième cellule standard et est couplée à la source de tension. De plus, le CI à MOS comprend une troisième interconnexion (362) de contact s'étendant dans une deuxième direction orthogonale à la première direction et couplant ensemble la première interconnexion de contact et la deuxième interconnexion de contact.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)